S3C4510B 产品 ovERVIEW
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表格 1-1. s3c4510b 信号 描述 (持续)
信号 管脚 非. 类型 描述
addr[21:0]/
addr[10]/ap
(便条)
117–110,
129–120,
135–132
O 地址 总线. 这 22-位 地址 总线, addr[21:0], 覆盖 这 全部
4m 文字 地址 范围 的 各自 只读存储器/sram, flash 记忆,
dram, 和 这 外部 i/o banks.
这 23-位 内部的 地址 总线 使用 至 发生 dram 地址.
这 号码 的 column 地址 位 在 dram bank 能 是
编写程序 8bits 至 11bits 使用 用 dramcon 寄存器.
addr[10]/ap 是 这 自动 precharge 控制 管脚. 这 自动
precharge command 是 issued 在 这 一样 时间 作 burst 读 或者
burst 写 用 asserting 高 在 addr[10]/ap.
xdata[31:0] 141–136,
154–144,
166–159,
175–169
i/o 外部 (bi-directional, 32-位) 数据 总线. 这 s3c4510b 数据
总线 支持 外部 8-位, 16-位, 和 32-位 总线 sizes.
nras[3:0]/
nsdcs[3:0]
(便条)
94, 91, 90,
89
O 不 行 地址 strobe 为 dram. 这 s3c4510b 支持 向上
至 四 dram banks. 一个 nras 输出 是 提供 为 各自
bank. nsdcs[3:0] 是 碎片 选择 管脚 为 sdram.
ncas[3:0]
ncas[0]/nsdras
ncas[1]/nsdcas
ncas[2]/cke
(便条)
98, 97, 96,
95
O 不 column 地址 strobe 为 dram. 这 四 ncas 输出
表明 这 字节 selections whenenver 一个 dram bank 是
accessed. nsdras 是 行 地址 strobe 信号 为 sdram.
latches 行 地址 在 这 积极的 going 边缘 的 这 sdclk
和 nsdras 低. 使能 行 进入 和 precharge. nsdcas 是
column 地址 strobe 为 sdram. latches column 地址
在 这 积极的 going 边缘 的 这 sdclk 和 nsdcas 低.
使能 column 进入. cke 是 时钟 使能 信号 为 sdram.
masks sdram 系统 时钟, sdclk 至 freeze 运作 从
这 next 时钟 循环. sdclk 应当 是 使能 在 least 一个 循环
较早的 至 新 command. 使不能运转 输入 缓存区 的 sdram 为
电源 向下 在 备用物品.
nDWE 99 O dram 不 写 使能. 这个 管脚 是 提供 为 dram bank
写 行动. (nwbe[3:0] 是 使用 为 写 行动 至 这
只读存储器/ sram/flash 记忆 banks.) .
necs[3:0] 70, 69, 68,
67
O 不 外部 i/o 碎片 选择. 四 外部 i/o banks 是
提供 为 外部 记忆-编排 i/o 行动. 各自 i/o
bank stores 向上 至 16 kbytes. necs 信号 表明 这个 的 这
四 外部 i/o banks 是 选择.
nEWAIT 71 I 不 外部 wait. 这个 信号 是 使活动 当 一个 外部 i/o
设备 或者 只读存储器/sram/flash bank 5 needs 更多 进入 循环
比 那些 定义 在 这 相应的 控制 寄存器.
当 de-assert 这 newait, 你 必须 同步 这 newait
和 mclko rising 边缘. 如果 不, 记忆 状态 机器 能 得到
在 这 wrong 状态.
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