修订 描述
1. 电的 数据
表格 17-12. 一个.C.电的 特性 为内部的 flash 只读存储器
(t
一个
=–25
°
c 至 + 85
°
c, v
DD
= 2.0v 至3.6v)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
程序编制 时间
(1)
Ftp – 30 – –
µ
s
碎片 erasing 时间
(2)
Ftp1 – 10 – – ms
sector erasing 时间
(3)
Ftp2 – 10 – – ms
数据 access 时间 Ft
RS
– – 25 – ns
号码 的 writing/erasing FNwe – – –
10,000
(4)
时间
注释:
1. 这 程序编制 时间 是 这 时间 在 这个 一个 字节 (8-位) 是 编写程序.
2. 这 碎片 erasing 时间 是 这 时间 在 这个 所有 16k 字节 块 是 erased.
3. 这sector erasing 时间 是 这 时间 在 这个 所有 128 字节 块 是 erased.
4.
最大 号码 的 writing/erasing 是 10,000 时间 为 全部-flash(s3f8275) 和 100 时间 为 half-flash
(s3f8278/f8274).
5. 这 碎片 erasing 是 有 在 tool 程序 模式 only.
2.情况 的 operating 电压
情况 的 运行 电压 是修改“fx = 0–4.2mhz”至“fx = 0.4–4.2mhz”在 2.0v–3.6v 和“fx = 0–8MHz”
至“fx = 0.4–8MHz”在 2.5v–3.6v 在 这 页 17-2.
3.chapther 16. embedded flash 记忆 interFACE
这个 chapter 是 修改 为 仅有的 s3f8275.
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