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资料编号:589689
 
资料名称:S3P72H8
 
文件大小: 184.22K
   
说明
 
介绍:
The S3C72H8 single-chip CMOS microcontroller has been designed for very high performance using Samsungs state-of-the-art 4-bit product development app
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 数据 s3c72h8/p72h8
16-4
表格 16-2.d.c. 电的 特性 (continued)
(t
一个
= – 40
°
c 至 + 85
°
c, v
DD
=1.8 v 至 5.5v)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应
电流
(便条)
I
DD1
主要的 运作 模式:
V
DD
= 5 v±10%, 6-mhz 结晶
3.5 8 毫安
V
DD
= 5 v±10%, 4.19 mhz
2.5 5.5
V
DD
=3V±10%, 6-mhz 结晶
1.6 4
V
DD
= 3V±10%, 4.19 mhz
1.2 3
I
DD2
主要的 空闲 模式:
V
DD
= 5 v±10%, 6-mhz 结晶
1.8 3.5
V
DD
= 5 v±10%, 4.19 mhz
1.4 3.0
V
DD
=3V±10%, 6-mhz 结晶
0.6 1.2
V
DD
= 3V±10%, 4.19 mhz
0.5 1.1
I
DD3
sub 运作 模式:
V
DD
= 3 v, 32768hz
主要的 osc 停止, 除了 i
VB
, i
VLD
,
icomp, i
LCD
和 外部 加载.
15 30 uA
I
DD4
sub 空闲 模式;
V
DD
= 3.0,32768Hz
主要的 osc 停止, 除了 i
VB
, i
VLD
,
icomp, i
LCD
和 外部 加载.
6 15
I
DD5
停止 模式;主要的 &放大; sub
osc 停止, v
DD
=5v ±10%
除了 i
vd,
I
vld,
icomp 和
外部 加载.
scmod =
0100B
XT
= 0v-
0.3 3 uA
停止&放大; sub osc 停止,
V
DD
= 3V,除了 i
vd,
I
vld,
lcomp 和 外部
加载.
0.1 1
便条:
供应 电流 做 不 包含 电流 描绘 通过 内部的 拉-向上 电阻器 或者 外部 输出 电流 负载.
I
LCD
是 lcd 控制/驱动器 运行 电流, i
VB
是 电压 升压器 电流, icomp 是 比较器 电流 和 i
VLD
是 电压 水平的 探测器 电流.
表格 16-3. 数据 保持 供应 电压 在 停止 模式
(t
一个
= – 40
°
C
至 + 85
°
c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
数据 保持 供应
电压
V
DDDR
1.0 - 5.5 V
数据 保持 供应
电流
I
DDDR
V
DDDR
= 1.0 v
停止 模式; 主要的 &放大; sub
osc 停止.
除了 i
VB
, i
VLD
,I
LCD
外部 加载.
- - 1 uA
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