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资料编号:590513
 
资料名称:TMS4C2972
 
文件大小: 344.74K
   
说明
 
介绍:
245760 BY 12-BIT FIELD MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TMS4C2972
245760 用 12-位
地方 记忆
smgs671 – october 1997
2
邮递 办公室 盒 1443
houston, 德州 77251–1443
描述 (持续)
最大 存储 capacity 是 245 760 words 用 12 位. 寻址 是 governed 用 写-地址 和
读-地址 pointers, 这个 能 是 容易地 控制 用 这 用户. 这 tms4c2972 能 是 addressed 在 一个
strictly sequential 或者 先进先出 manner, 但是 它 也 提供 一个 optional 随机的-块 进入 模式, 这个 准许 这
用户 至 直接 也 pointer 至 这 beginning 的 任何 的 这 6144 blocks 那 comprise 这 地址 空间 的 这
记忆.
在 sequential 寻址 模式, 这 tms4c2972 功能 像 一个 先进先出 寄存器. 这 定时 在 写-重置
和 读-重置 行动 确定 这 延迟 或者 长度 的 这 先进先出. 数据 将 是 读 输出 作 许多 时间 作
desired 之后 它 有 被 写 在 这 存储 排列 的 这 记忆. 最小 延迟 在 writing 和
读 是 160 写 循环; 最大 延迟 是 一个 全部 地方 加 一个 块 或者 245 800 words.
如果 这 记忆 是 使用 作 一个 延迟 元素 仅有的, 那里 是 非 需要 至 重置 这 读 和 写 地址 pointers,
因为 它们 wrap 周围 之后 passing 它们的 最大 值. 为 详细信息, 看 这 部分 在 wrap-周围 的
pointers.
这 tms4c2972 雇用 状态-的-这-艺术 16m-位 complementary metal-oxide 半导体 (cmos)
动态 随机的-进入 记忆 (dram) 技术 为 高 效能, 可靠性, 和 low-power
消耗. 这 设备 是 评估 为 运作 在 这 0
_
c 至 70
_
c 范围 和 是 有 在 一个 高-可靠性 36-含铅的
表面-挂载 shrink 小-外形 包装 (ssop) (dt suffix).
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