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LTC1734L
1734lf
高等级的 承担 电流 需要 更小的 程序 电阻
值 这个 能 tolerate 更多 电容的 加载 在 这
prog 管脚. 最大 电容 能 是 作 高 作 50pf
为 一个 承担 电流 的 50ma (r
PROG
= 7.5k).
图示 4 是 一个 简单的 测试 电路 为 checking 稳固 在 两个都
这 常量 电流 和 常量 电压 模式. 和
输入 电源 应用 和 一个 near 全部地 charged 电池
连接 至 这 charger, 驱动 这 prog 管脚 和 一个
脉冲波 发生器 将 循环 这 charger 在 和 输出 的 这
手工的 关闭 模式. referring 至 图示 5, 之后 一个
短的 延迟, 这 charger 将 enter 这 常量 电流
模式 第一, 然后 如果 这 电池 电压 是 near 这 pro-
grammed 电压 的 4.2v, 这 常量 电压 模式 将
begin. 这 结果 波形 在 这 prog 管脚 是 一个
indication 的 稳固.
这 翻倍 暴露 photo 在 图示 5 显示 这 影响
的 电容 在 这 程序 管脚. 这 middle 波形
是 典型 当 这 更小的 波形 indicates 过度的
程序 管脚 电容 结果 在 常量 电流
模式 instability. 虽然 不 一般, ringing 在 这
常量 电压 portion 的 这 波形 是 一个 indication
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
信息 陈设 用 直线的 技术 公司 是 相信 至 是 精确 和 可依靠的.
不管怎样, 非 责任 是 assumed 为 它的 使用. 直线的 技术 公司 制造 非 represen-
tation 那 这 interconnection 的 它的 电路 作 描述 在此处 将 不 infringe 在 存在 专利权 权利.
的 instability 预定的 至 任何 结合体 的 极其 低 等效串联电阻
值, 高 电容 值 的 这 输出 电容 或者
非常 高 pnp 晶体管 beta. 至 降低 这 效应 的 这
scope 探查 电容, 一个 10k 电阻 是 使用 至 分开
这 探查 从 这 程序 管脚. 也, 一个 可调整的 加载
电阻 或者 电流 下沉 能 是 使用 至 quickly 改变 这
承担 电流 当 一个 全部地 charged 电池 是 使用.
反转 输入 电压 保护
在 一些 产品, 保护 从 反转 电压 在
V
CC
是 desired. 如果 这 供应 电压 是 高 足够的, 一个
序列 blocking 二极管 能 是 使用. 在 其它 具体情况, 在哪里
这 电压 漏出 必须 是 保持 低, 一个 p-频道 场效应晶体管 作
显示 在 图示 6 能 是 使用.
图示 5. 稳固 波形
LTC1734L
PROG
li-ion*
20
Ω
至
200
Ω
*fully charged cell
10k
R
PROG
3k
至 scope
1734 f04
BAT
2.5v
f = 1khz
0V
+
图示 4. 建制 为 交流 稳固 测试
5V
0V
prog 管脚
(20pf 在 管脚)
prog 管脚
(200pf 在 管脚)
脉冲波
发生器
2V
1V
0V
2V
SHUT
向下
延迟 常量
电流
horizontal 规模: 100
µ
s/div
1V
0V
常量
电压
V
CC
V
在
*
1734 f06
LTC1734L
*drain-大(量) 二极管 的 场效应晶体管
图示 6. 低 丧失 反转 电压 保护
V
CC
绕过 电容
许多 类型 的 电容 和 值 ranging 从 1
µ
f 至
10
µ
f located 关闭 至 这 ltc1734l 将 提供 足够的
输入 bypassing. 不管怎样, 提醒 必须 是 exercised
当 使用 multilayer 陶瓷的 电容. 因为 的 这
自 resonant 和 高 q 特性 的 一些 类型 的
陶瓷的 电容, 高 电压 过往旅客 能 是 gener-
ated 下面 一些 开始-向上 情况, 此类 作 连接
这 charger 输入 至 一个 hot 电源 源. 至 阻止 这些
过往旅客 从 exceeding 这 绝对 最大 电压
比率, 一些 ohms 的 阻抗 能 是 增加 在 序列
和 这 陶瓷的 输入 电容.
内部的 保护
内部的 保护 是 提供 至 阻止 过度的 驱动
管脚 电流 (i
DSHRT
) 和 过度的 自-加热 的 这
ltc1734l 在 一个 故障 情况. 这 faults 能 是
发生 从 一个 短接 驱动 管脚 或者 从 过度的
驱动 管脚 电流 至 这 根基 的 这 外部 pnp
晶体管 当 它’s 在 深的 饱和 从 一个 非常 低
V
CE
. 这个 保护 是 不 设计 至 阻止 overheat-
ing 的 这 外部 通过 晶体管. indirectly though, 自-
加热 的 这 pnp thermally 组织 至 这 ltc1734l
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