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资料编号:591879
 
资料名称:BAS70-04LT1G
 
文件大小: 43.19K
   
说明
 
介绍:
Dual Series Schottky Barrier Diode
 
 


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BAS70−04LT1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
反转 损坏 电压 (i
R
= 10
µ
一个) V
(br)r
70 伏特
总的 电容 (v
R
= 0 v, f = 1.0 mhz) C
T
2.0 pF
反转 泄漏 (v
R
= 50 v)
(v
R
= 70 v)
I
R
0.1
10
µ
模数转换器
向前 电压 (i
F
= 1.0 madc) V
F
410 mVdc
向前 电压 (i
F
= 10 madc) V
F
750 mVdc
向前 电压 (i
F
= 15 madc) V
F
1.0 Vdc
100
0 0.1
V
F
, 向前 电压 (伏特)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
0.1
85
°
C
10
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
1.0
0.1
0.01
0.001
5.0 10 15 20
50
1.4
0
V
R
, 反转 电压 (伏特)
1.2
0.4
0.2
0
C
T
, 电容 (pf)
5.0 10 15 50
I
F
, 向前 电流 (毫安)
图示 1. 典型 向前 电压 图示 2. 反转 电流 相比 反转
电压
图示 3. 典型 电容
−40
°
C
25
°
C
T
一个
= 150
°
C
25
°
C
I
R
, 反转 电流 (
µ
一个)
1.0
−55
°
C
125
°
C
150
°
C
100
25
20
0.6
0.8
1.0
0.6 0.7
125
°
C
85
°
C
30 35 40 45
25
30 35 40
45
0.8 0.9
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