发行 号码
s71pl254/127/064/032j_00
修订
一个
Amendment
6
公布 日期
十一月 22, 2004
进步
s71pl254/127/064/032j 为基础 mcps
stacked multi-碎片 产品(mcp) flash 记忆 和 内存
256m/128/64/32 megabit (16/8/4/2mx 16-位) cmos 3.0 volt-仅有的
同时发生的 运作 页 模式 flash 记忆 和
64/32/16/8/4 megabit (4m/2m/1m/512k/256k x 16-位) 静态的
内存/pseudo 静态的 内存
数据手册
distinctive 特性
mcp 特性
电源 供应 电压 的 2.7 至 3.1 volt
高 效能
—55 ns
— 65 ns (65 ns flash, 70ns psram)
包装
— 7 x 9 x 1.2mm 56 球 fbga
— 8 x 11.6 x 1.2mm 64 球 fbga
— 8 x 11.6 x 1.4mm 84 球 fbga
运行 温度
— –25°c 至 +85°c
— –40°c 至 +85°c
一般 描述
这 s71pl 序列 是 一个 产品 线条 的 stacked multi-碎片 产品 (mcp) 包装
和 组成 的:
一个 或者 更多 s29pl (同时发生的 读/写) flash 记忆 消逝
psram 或者 sram
这 256mb flash 记忆 组成 的 二 s29pl127j 设备. 在 这个 情况, ce#f2
是 使用 至 进入 这 第二 flash 和 非 extra 地址 线条 是 必需的.
这 产品 covered 用 这个 文档 是 列表 在 这 表格 在下:
便条:
不 推荐 为 新 设计; 使用 psram 为基础 mcps instead.
flash 记忆 密度
32Mb 64Mb 128Mb 256Mb
pSRAM
密度
4Mb S71PL032J40
8Mb S71PL032J80 S71PL064J80
16Mb S71PL032JA0 S71PL064JA0 S71PL127JA0
32Mb S71PL064JB0 S71PL127JB0 S71PL254JB0
64Mb S71PL127JC0 S71PL254JC0
flash 记忆 密度
32Mb 64Mb
sram 密度 (便条)
4Mb S71PL032J04
8Mb S71PL032J08 S71PL064J08
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