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资料编号:592241
资料名称:
PS7341
文件大小: 68.78K
说明
:
介绍
:
HIGH ISOLATION VOLTAGE 6-PIN DIP OCMOS FET 1-ch OCMOS FET
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 p14229ej1v0ds00
6
ps7341-1b,ps7341l-1b
normalized 至 1.0
在 t
一个
= 25 ˚c,
I
F
= 0 毫安,
I
L
= 10 毫安
0.5
1.5
2.0
3.0
1.0
2.5
0.0
100755025–25
0
normalized 在-状态 阻抗 vs.
normalized 在-状态 阻抗 r
在
包围的 温度 t
一个
(˚c)
n = 50 pcs,
I
F
= 0 毫安,
I
L
= 10 毫安
20
21
0
5
10
15
20
25
30
在-状态 阻抗 分发
号码 (pcs)
在-状态 阻抗 r
在
(
Ω
)
0.03
0.05
0
5
10
15
20
25
30
号码 (pcs)
转变-在 时间 t
在
(ms)
转变-在 时间 分发
n = 50 pcs,
I
F
= 10 毫安,
V
O
= 5 v
n = 50 pcs,
I
F
= 10 毫安,
V
O
= 5 v
0.5
0.7
0
5
10
15
20
25
30
号码 (pcs)
转变-止 时间 t
止
(ms)
转变-止 时间 分发
包围的 温度
V
O
= 5 v
30
252015105
0.05
0.15
0.20
0.30
0.10
0.25
0
转变-在 时间 t
在
(ms)
向前 电流 i
F
(毫安)
转变-在 时间 vs. 向前 电流
30252015105
2
6
8
12
4
10
0
V
O
= 5 v
转变-止 时间 t
止
(ms)
向前 电流 i
F
(毫安)
转变-止 时间 vs. 向前 电流
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