S75PL127J_集成电路资料查询网

进步
信息
发行 号码
s75pl127j_00
修订
一个
Amendment
1
公布 日期
january 6, 2005
s75pl127j mcps
stacked multi-碎片 产品 (mcp)
代号 flash, psram 和 数据 flash 128m (8m x 16-位 cmos 3.0 volt-
仅有的, 同时发生的 运作, 页模式 代号 flash 记忆, 和
64m/32m (4m/2m x 16-位) psram 和 512m/256/128m (32m/16m/8m x 16-
位) 数据 flash 记忆
mcp 特性

电源 供应 电压 的 2.7 至 3.1 volt

高 效能
— 65ns 为 pl-j, 70ns 为 psram, 和 110ns 为 gl-n
— 页 进入 - 25ns

包装
— 9 x 12 mm 84 球 fbga

运行 温度
— –25°c 至 +85°c (无线的)

其它 温度 等级 选项
— 请 联系 这 因素y 通过 这 local 销售
支持 team
一般 描述
这 75pl 序列 是 一个 产品 线条 的 stacked multi-碎片 产品 (mcp) 包装
和 组成 的:

一个 s29pl127j 为基础 代号 flash 设备

pSRAM

一个 或者 更多 s29glxxxn based 数据 flash 设备
密度 128M 256M 512M
128M
S75PL127JBD S75PL127JBE S75PL127JBF
数据 flash
32m psram
代号 flash
密度 128M 256M 512M
128M
S75PL127JCD S75PL127JCE S75PL127JCF
代号 flash
64m psram
数据 flash
数据 薄板

标　题:
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进步信息发行号码 s75pl127j_00 修订一个 Amendment 1 公布日期 january 6, 2005 s75pl127j mcps stacked multi-碎片产品 (mcp) 代号 flash, psram 和数据 flash 128m (8m x 16-位 cmos 3.0 volt- 仅有的, 同时发生的运作, 页模式代号 flash 记忆, 和 64m/32m (4m/2m x 16-位) psram 和 512m/256/128m (32m/16m/8m x 16- 位) 数据 flash 记忆 mcp 特性  电源供应电压的 2.7 至 3.1 volt  高效能 — 65ns 为 pl-j, 70ns 为 psram, 和 110ns 为 gl-n — 页进入 - 25ns  包装 — 9 x 12 mm 84 球 fbga  运行温度 — –25°c 至 +85°c (无线的)  其它温度等级选项 — 请联系这因素y 通过这 local 销售支持 team 一般描述这 75pl 序列是一个产品线条的 stacked multi-碎片产品 (mcp) 包装和组成的:  一个 s29pl127j 为基础代号 flash 设备  pSRAM  一个或者更多 s29glxxxn based 数据 flash 设备密度 128M 256M 512M 128M S75PL127JBD S75PL127JBE S75PL127JBF 数据 flash 32m psram 代号 flash 密度 128M 256M 512M 128M S75PL127JCD S75PL127JCE S75PL127JCF 代号 flash 64m psram 数据 flash 数据薄板

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