8
ltc1503-1.8/ltc1503-2
2ms/div
1503-1.8/2 f02b
ltc1503-2
C
SS
= 0nf
C
输出
= 10
µ
F
R
加载
= 50
Ω
电容 选择
为 最好的 效能, 它 是 推荐 那 低 等效串联电阻
电容 是 使用 为 c
在
和 c
输出
至 减少 噪音 和
波纹. 如果 这 等效串联电阻 的 这 输出 电容 是 too 高
(>0.5
Ω
), 两个都 效率 和 输出 加载 规章制度 将
是 degraded. 这 c
在
和 c
输出
电容 应当 是 也
陶瓷的 或者 tantalum 和 应当 是 10
µ
f 或者 更好. 如果 这
输入 源 阻抗 是 非常 低 (<0.5
Ω
), c
在
将 不
是 需要. 陶瓷的 电容 是 推荐 为 这
flying caps c1 和 c2 和 值 的 0.47
µ
f 至 2.2
µ
f.
小 值 将 是 使用 在 低 输出 电流 applica-
tions (e.g., i
输出
< 10ma). 为 最好的 效能 choose
这 一样 电容 值 为 两个都 c1 和 c2.
输出 波纹
正常的 ltc1503-x 运作 生产 电压 波纹 在
这 v
输出
管脚. 输出 电压 波纹 是 必需的 为 这 部分
至 regulate. 低 频率 波纹 exists 预定的 至 这 hyster-
esis 在 这 sense 比较器 和 传播 延迟 在 这
承担 打气 使能/使不能运转 电路. 高 频率 波纹
是 也 呈现 mainly 从 这 等效串联电阻 (相等的 序列
阻抗) 在 这 输出 电容. 典型 输出 波纹
(v
在
= 3.6v) 下面 最大 加载 是 25mv 顶峰-至-顶峰
和 一个 低 等效串联电阻 10
µ
f 输出 电容.
这 巨大 的 波纹 电压 取决于 在 一些 fac-
tors. 高 输入 电压 增加 这 输出 波纹 自从
更多 承担 是 delivered 至 c
输出
每 charging 循环. 大
输出 电流 加载 和/或者 一个 小 输出 电容 (< 10
µ
f)
结果 在 高等级的 波纹 预定的 至 高等级的 输出 电压 dv/dt.
高 等效串联电阻 电容 (等效串联电阻 > 0.5
Ω
) 在 这 输出 管脚 导致
高 频率 电压 尖刺 在 v
输出
和 每 时钟
循环.
那里 是 一些 方法 至 减少 这 输出 电压 波纹
(看 图示 3). 一个 大 c
输出
电容 (22
µ
f 或者 更好)
将 减少 两个都 这 低 和 高 频率 波纹 预定的 至
这 更小的 c
输出
charging 和 discharging dv/dt 和 这
更小的 等效串联电阻 典型地 建立 和 高等级的 值 (大 情况
大小) 电容. 一个 低 等效串联电阻 陶瓷的 输出 电容 将
降低 这 高 频率 波纹, 但是 将 不 减少 这
低 频率 波纹 除非 一个 高 电容 值 是
选择. 一个 合理的 compromise 是 至 使用 一个 10
µ
f 至 22
µ
F
tantalum 电容 在 并行的 和 一个 1
µ
f 至 3.3
µ
f 陶瓷的
大概 1.9v. 自从 这 ramp 比率 在 这 shdn/ss
管脚 控制 这 ramp 比率 在 v
输出
, 这 平均 inrush
电流 能 是 控制 通过 选择 的 c
SS
和
C
输出
. 为 例子, 一个 4.7nf 电容 在 shdn/ss 结果
在 一个 4ms ramp 时间 从 0.35v 至 1.9v 在 这 管脚. 如果 c
输出
是 10
µ
f, 这 4ms v
REF
ramp 时间 结果 在 一个 平均
C
输出
承担 电流 的 仅有的 5ma (看 图示 2c).
5
1
R
加载
C
SS
1503-1.8/2 f02a
V
CTRL
在 止
shdn/ss
V
输出
ltc1503-x
(一个)
V
CTRL
2v/div
V
输出
1v/div
(b)
2ms/div
1503-1.8/2 f02b
ltc1503-2
C
SS
= 4.7nf
C
输出
= 10
µ
F
R
加载
= 50
Ω
V
CTRL
2v/div
V
输出
1v/div
(c)
图示 2. 关闭/软-开始 运作
APPLICATIOs i 为 atio
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