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资料编号:595337
 
资料名称:SA741
 
文件大小: 36.6K
   
说明
 
介绍:
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
  浏览型号SA741的Datasheet PDF文件第1页
1

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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
s1e 1 消逝 id &放大; gm vs vg
0.01
0.10
1.00
10.00
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
vgs 在 伏特
id 在 放大器; gm 在 mhos
Id
gM
s1e 1 消逝 电容
0.1
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
vds 在 伏特
Coss
Ciss
Crss
sa741 管脚 vs pout freq=175mhz, vds=50v, idq=.2a
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
44
48
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
管脚 在 watts
11.00
12.00
13.00
14.00
15.00
16.00
17.00
18.00
19.00
20.00
Pout
增益
效率 = 55%
polyfet rf 设备
pout vs 管脚 图表
电容 vs 电压
id &放大; gm vs vgsiv 曲线
s11 &放大; s22 smith chart 包装 维度 在 英寸
SA741
s1e 1 消逝 iv
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vds 在 伏特
id 在 放大器
vg=2v Vg=4v Vg=6v vg=8v 0 vg=12v
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax: (805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
修订 03/08/2001
容忍 .xx +/-0.01 .xxx +/-.005 英寸
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