Silan
半导体
SA8507
hangzhou silan 微电子学 joint-储备 co.,有限公司
rev: 1.1 2001-11-30
2
块 图解
cpi-
+
-
Summing
放大
能变的
电阻
整流器
Byath
Limiter
Compressor
沉默的
Compressor
输出 缓存区
+
-
+
-
能变的
电阻
整流器
Summing
放大
Expandor
沉默的
偏差 电路
逻辑
11
12
13
1
20
10149191817
7
8CPI+
5 6 4 3 2
做 ERC EO CB EB 地
Vcc
EMUTE
BYPATH
CMUTE
FO
FICODICRCAGIC
16
15EPI+
epi-
Byath
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c )
典型的 标识 值 单位
供应 电压 V
CC
10 V
SA8507D 1000 mW
电源 消耗
SA8507S
PD
410 mW
运行 温度 T
OPR
-22 ~ +70
°
C
存储 温度 T
STG
-55 ~ +150
°
C
电的 特性
(ta=25
°
c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直流 电的 特性
运行 电压 V
CC
-- -- 2.4 7.0 V
运行 电流 I
CC
非 信号 -- 4.0 6.5 毫安
compressor 部分
标准 输出 电压 V
o(竞赛)
vin=12.5mv 240 300 360 mVrms
∆
G
v1(竞赛)
vin=-20db(300mv=0db) -0.5 0 +0.5
增益 deference
∆
G
v2(竞赛)
vin=-40db -1.0 0 +1.0
dB
bypath 增益 区别
∆
G
vb(竞赛)
vout=0db, bypath=地 -1.5 0 +1.5 dB
输出 扭曲量 THD
竞赛
Vin=0dB -- 0.5 1.0 %
噪音 输出 电压 V
非(竞赛)
Rg=620hm -- 3.0 5.5 mVrns
沉默的 attenuation 无线电 ATT
沉默的
vin=0db, cmute=地 60 80 -- dB
最大 电压 V
输出
-- 1.15 1.35 1.50 电压有效值
(至 是 持续)
: 点此下载
