1999 Oct 05 14
飞利浦 半导体 初步的 规格
单独的-碎片 dvd-只读存储器 SAA7811HL
t
o(r)
输出 上升 时间 C
L
= 20 pf;
10% 至 90% 水平
−−
20 ns
t
o(f)
输出 下降 时间 C
L
= 20 pf;
90% 至 10% 水平
−−
20 ns
DESIGNATED 用
‘M’ (cmos
水平
)
V
OL
低-水平的 输出 电压 I
OL
=4mA
−−
0.4 V
V
OH
高-水平的 输出 电压 I
OH
=
−
4 毫安 0.85v
ddd1(3p)
−−
V
C
L
加载 电容
−−
20 pF
t
o(r)
输出 上升 时间 C
L
= 20 pf;
10% 至 90% 水平
−−
20 ns
t
o(f)
输出 下降 时间 C
L
= 20 pf;
90% 至 10% 水平
−−
20 ns
I
l(3-状态)
3-状态 泄漏 电流 V
LI
= 0 至 V
ddd1(3p)
−
10
−
+10
µ
一个
DESIGNATED 用
‘AL’ (ata
数据 总线 水平
)
V
OL
低-水平的 输出 电压 I
OL
=4mA
−−
0.5 V
V
OH
高-水平的 输出 电压 I
OH
=
−
4 毫安 0.9v
ddd2(5p)
−−
V
C
L
加载 电容
−−
100 pF
t
o(r)
输出 上升 时间 C
L
= 100 pf;
0.5 V 至 90% V
ddd2(5p)
5
−−
ns
t
o(f)
输出 下降 时间 C
L
= 100 pf;
90% V
ddd2(5p)
至 0.5 V
5
−−
ns
DESIGNATED 用
‘AH’ (ata
水平
)
V
OL
低-水平的 输出 电压 I
OL
=12mA
−−
0.5 V
V
OH
高-水平的 输出 电压 I
OH
=
−
4 毫安 0.9v
ddd2(5p)
−−
V
C
L
加载 电容
−−
100 pF
t
o(r)
输出 上升 时间 C
L
= 100 pf;
0.5 V 至 90% V
ddd2(5p)
5
−−
ns
t
o(f)
输出 下降 时间 C
L
= 100 pf;
90% V
ddd2(5p)
至 0.5 V
5
−−
ns
输入: crin (外部 时钟)
V
IL
低-水平的 输入 电压
−
0.3
−
+0.5 V
V
IH
高-水平的 输入 电压 2.0
−
V
DDA
+ 0.3 V
t
IH
输入 高 时间 相关的 至 时期 45
−
55 %
I
LI
输入 泄漏 电流
−
10
−
+10
µ
一个
C
i
输入 电容
−−
7pF
输出: crout
f
XTAL
结晶 频率 便条 6
−
8.4672
−
MHz
g
m(mutual)
mutual conductance 在
开始-向上
−
17
−
毫安/v
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
: 点此下载
