半导体 组 9
1)
一个
13
= 20 x log (m1 / (0.67 x m3))
2)
一个
23
= 20 x log (m2 / (0.89 x m3))
特性
T
j
= – 25 至 125˚c;
V
S
= 2.8 至 18 v
参数 标识 限制 值 单位 测试
情况
最小值 典型值 最大值
供应 部分
备用物品 电流
安静的 电流; 管脚 l 打开
I
St
I
Qu
1
5
10
10
µ
一个
毫安
输出 部分
顶峰 输出 电源 (声调 3)
V
S
= 2.8 v;
R
Q
= 4
Ω
;
R
L
= 8.2 k
Ω
V
S
= 2.8 v;
R
Q
= 8
Ω
;
R
L
= 18 k
Ω
V
S
= 5.0 v;
R
Q
= 8
Ω
;
R
L
= 10 k
Ω
V
S
= 5.0 v;
R
Q
= 16
Ω
;
R
L
= 18 k
Ω
V
S
= 12 v;
R
Q
= 50
Ω
;
R
L
= 33 k
Ω
P
Q
P
Q
P
Q
P
Q
P
Q
250
125
450
225
450
330
165
600
300
600
mW
mW
mW
mW
mW
一个
输出 水平的 differences:
声调 1 至 3
声调 2 至 3
一个
13
一个
23
– 1
– 1
1
1
dB
dB
一个
1)
一个
2)
偏置 部分
电压 在 管脚
R
OSC
;
R
R
= 10 k
Ω
电压 在 管脚 l;
R
L
= 10 k
Ω
V
R
V
L
1.2
1.2
V
V
振荡器 部分
振幅
频率
R
R
= 10 k
Ω
;
C
C
= 4.7 nf
oscill. 逐渐变化 vs. 温度
oscill. 逐渐变化 vs. 供应 电压
∆
V
C
f
0
D
T
D
V
– 3
0.5
13.2
1
+ 3
V
kHz
10
-4
/k
10
-3
/k
输入 部分
triggering 电压 在 e1, e2
triggering 电流 在 e1, e2
噪音 电压 免除 在 e1, e2
triggering 延迟 在
f
0
= 13.2 khz
V
E1 , e2
I
E1 , e2
V
E1 , e2
t
dT
1.6
100
2
0.3
10
V
µ
一个
V
ms
sae 800
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