绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 ( v
是
= 0 )
700 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 ( i
B
= 0 )
400 V
V
EBO
发射级-根基 电压 ( i
C
= 0 )
9.0 V
I
C
集电级 电流 1.5 一个
I
CM
集电级 顶峰 电流 ( t
P
＜
5 ms
)
3.0 一个
I
B
根基 电流 0.75 一个
I
BM
根基 顶峰 电流
( t
P
＜
5 ms
)
1.5 一个
P
C
总的 消耗 在 t
一个
= 25 °c
1.5 W
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150 °C
T
J
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
热的 特性
标识 参数 值 单位
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 83 °c/w
SBL13003
oct, 2002. rev. 2 1/5
cc
特性
-
非常 高 切换 速 (典型 120ns@1.0a)
-
最小 lot-至-lot hfe 变化
-
低 vce(sat) (典型 200mv@1.0a/0.25a)
-
宽 反转 偏差 s.o.一个
一般 描述
这个 设备 是 设计 为 高 电压, 高 速 切换 char-
acteristic 必需的 此类 作 lighting 系统, switching 调整器,
反相器 和 deflection 电路.
高 电压 快-切换 npn 电源 晶体管
2.集电级
3.发射级
1.根基
标识
○
○
○
至-92l
SemiWell
半导体
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2
1
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