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2004 semtech corp.
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电源 管理
SC1405B
块 图解
产品 信息
sc1405b sc1405b
sc1405b sc1405b
sc1405b 是 这 高等级的 速 版本 的 这 sc1405.
它 是 设计 至 驱动 低 rds_在 电源 场效应晶体管’s 和
过激-低 上升/下降 时间 和 传播 延迟. 作 这
切换 频率 的 pwm 控制者 是 增加 至
减少 电源 供应 和 类-d 放大器 容积 和
费用, 快 上升 和 下降 时间 是 需要 至 降低
切换 losses (顶 场效应晶体管) 和 减少 dead-时间
(bottom 场效应晶体管) losses. 当 低 rds_在 mosfet’s
呈现 一个 电源 节省 在 i
2
r losses, 这 场效应晶体管’s 消逝
范围 是 大 和 因此 这 有效的 输入 电容
的 这 场效应晶体管 是 增加. 常常 一个 50% decrease 在
rds_在 更多 比 doubles 这 有效的 输入 门
承担, 这个 必须 是 有提供的 用 这 驱动器. 这 rds_在
电源 savings 能 是 补偿 用 这 切换 和 dead-
时间 losses 和 一个 suboptimum 驱动器. 当 分离的
解决方案 能 达到 合理的 驱动 能力, imple-
menting shoot-通过, 可编程序的 延迟 和 其它
housekeeping 功能 需要 为 safe 运作 能
变为 cumbersome 和 costly. 这 sc1405 家族 的
部分 presents 一个 总的 解决方案 为 这 高-速, 高
电源 密度 =产品. 宽 输入 供应 范围 的
4.5v-25v 准许 使用 在 电池 powered 产品, 新
高 电压, distributed 电源 servers 作 好 作 类-
d 放大器.
theory 的 运作
这 控制 输入 (co) 至 这 sc1405b 是 典型地 sup-
plied 用 一个 pwm 控制 那 regulates 这 电源 sup-
ply 输出. (看 应用 evaluation 图式, 图-
ure 3). 这 定时 图解 demonstrates 这 sequence
的 events 用 这个 这 顶 和 bottom 驱动 信号 是
应用. 这 shoot-通过 保护 是 执行
用 支持 这 bottom 场效应晶体管 止 直到 这 电压 在 这
阶段 node (intersection 的 顶 场效应晶体管 源, 这 输出
inductor 和 这 bottom 场效应晶体管 流) 有 dropped 在下
1v. 这个 assures 那 这 顶 场效应晶体管 有 转变 止 和
那 一个 直接 电流 path 做 不 exist 在 这
输入 供应 和 地面, 一个 情况 这个 两个都 这 顶
和 bottom 场效应晶体管’s 是 在 短促地. 这 顶 场效应晶体管 是
也 阻止 从 turning 在 直到 这 bottom 场效应晶体管 是
止. 这个 时间 是 内部 设置 至 20ns (典型) 和 将
是 增加 用 adding 一个 电容 从 这 c-延迟 管脚
至 地. 这 延迟 是 大概 1ns/pf 在 增加 至
这 内部的 20ns 延迟. 这 外部 电容 将 是
需要 如果 多样的 高 输入 电容 场效应晶体管’s 是
使用 在 并行的 和 这 下降 时间 是 substantially 更好
比 20ns.
它 必须 是 指出 那 增加 这 dead-时间 用 高
值 的 c-延迟 电容 将 减少 效率 自从
这 并行的 肖特基 或者 这 bottom 场效应晶体管 身体 二极管 将
有 至 conduct 在 dead-时间.
布局 指导原则
作 和 任何 高 速 , 高 电流 电路, 恰当的 lay-
输出 是 核心的 在 实现 最佳的 效能 的 这
sc1405b. 这 evaluation 板 图式 (谈及 至
图示 3) 显示 一个 双 阶段 同步的 设计 和 所有
表面 mountable 组件.
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