绝对 最大 比率
(便条 3)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
DD
) −0.3v 至 +4.0v
CMOS 输入 电压 −0.3v 至 (v
DD
+0.3v)
LVDS 接受者 输入 电压 −0.3v 至 +3.6v
LVDS 驱动器 输出 电压 −0.3v 至 +3.6v
LVDS 输出 短的 电路 电流 40mA
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4sec.) +260˚C
最大 包装 电源 消耗 在 25˚C
llp-28 4.31 W
lqfp-32 1.47w
减额 在之上 25˚C
llp-28 34.5 mw/˚c
lqfp-32 11.8 mw/˚c
热的 阻抗,
θ
JA
llp-28 29˚c/w
lqfp-32 85˚c/w
静电释放 比率
hbm, 1.5 k
Ω
, 100 pF 6.5 kV
eiaj, 0
Ω
, 200 pF
>
250V
推荐 运行
情况
最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 (v
DD
– 地) 3.0 3.3 3.6 V
接受者 输入 电压 0 3.6 V
运行 自由 空气
温度 −40 25 85 ˚C
接合面 温度 150 ˚C
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 其它 指定.
标识 参数 情况 最小值
典型值
(便条 4)
最大值 单位
LVTTL 直流 规格
(sel0, sel1, en1, en2, pem00, pem01, pem10, pem11, tdi, tck, tms, trst)
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0 V
DD
V
V
IL
低 水平的 输入 电压 地 0.8 V
I
IH
高 水平的 输入 电流 V
在
=V
DD
=V
DDMAX
−10 +10 µA
I
IL
低 水平的 输入 电流 V
在
=V
SS
,v
DD
=V
DDMAX
−10 +10 µA
I
ILR
低 水平的 输入 电流 tdi, tms, TRST -40 -200 µA
C
IN1
输入 电容 任何 数字的 输入 管脚 至 V
SS
3.5 pF
C
OUT1
输出 电容 任何 数字的 输出 管脚 至 V
SS
5.5 pF
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安 −1.5 −0.8 V
V
OH
高 水平的 输出 电压
(tdo)
I
OH
= −12 毫安, V
DD
= 3.0 V 2.4 V
I
OH
= −100 µa, V
DD
= 3.0 V V
DD
-0.2 V
V
OL
低 水平的 输出 电压
(tdo)
I
OL
= 12 毫安, V
DD
= 3.0 V 0.5 V
I
OL
= 100 µa, V
DD
= 3.0 V 0.2 V
I
OS
输出 短的 电路 电流 TDO -15 -125 毫安
LVDS 输入 直流 规格
(in0
±
, IN1
±
)
V
TH
差别的 输入 高 门槛
(便条 5)
V
CM
= 0.8v 或者 1.2v 或者 3.55v, V
DD
=
3.6v
050mV
V
TL
差别的 输入 低 门槛 V
CM
= 0.8v 或者 1.2v 或者 3.55v, V
DD
=
3.6v
−50 0 mV
V
ID
差别的 输入 电压 V
CM
= 0.8v 至 3.55v, V
DD
= 3.6v 100 mV
V
CMR
一般 模式 电压 范围 V
ID
= 150 mv, V
DD
= 3.6v 0.05 3.55 V
C
IN2
输入 电容 IN+ 或者 IN− 至 V
SS
3.5 pF
I
在
输入 电流 V
在
= 3.6v, V
DD
=V
DDMAX
或者 0V −10 +10 µA
V
在
= 0v, V
DD
=V
DDMAX
或者 0V −10 +10 µA
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