SD2932
RF 电源 晶体管
hf/vhf/uhf n-频道 MOSFETs
初步的 数据
ν
金 敷金属
ν
极好的 热的 稳固
ν
一般 源 配置,
推-拉
ν
POUT = 300W 最小值 和 15 dB 增益 @175
MHz
描述
这 SD2932 是 一个 金 metallized n-频道 MOS
地方-效应 RF 电源 晶体管. 这 SD2932 是
将 为 使用 在 50V 直流 大 信号
产品 向上 至 250 MHz
管脚 连接
March 2000
绝对 最大 比率
(t
情况
=25
o
c)
标识 参数 Value Unit
V
(br)dss
流 源 电压 125 V
V
DGR
流-gate 电压 (r
GS
=1M
Ω
)
125 V
V
GS
Gate-source Voltage
±
20 V
I
D
流 电流 40 一个
P
DISS
电源 Dissipation 500 W
T
j
最大值. Operating 接合面 Temperature +200
o
C
T
STG
存储 温度 -65 至 150
o
C
热的 数据
R
th(j-c)
Junction-情况 Thermal 阻抗 0.35
o
c/W
R
th(c-s)
情况 散热器 热的 阻抗
∗
0.12
o
c/W
∗
决定 使用 一个 flat 铝 或者 铜 散热器 和 热的 复合 应用 (dow Corning 340 或者 相等的).
M244
环氧的 sealed
顺序 代号 BRANDING
SD2932 TSD2932
1. 流 3. 源
2. 门
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