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资料编号：602718
 
资料名称：SDP10S30
 
文件大小： 618.95K
   
说明：
 
介绍:
Silicon Carbide Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2001-12-04
页 3
sdp10s30, sdb10s30
SDT10S30
初步的 数据
电的 特性
,在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
交流 特性
总的 电容的 承担
1)
V
R
=200v,
I
F
=10a,
d
i
F
/d
t
=-200a/µs,
T
j
=150°C
Q
c
- 23 - nC
切换 时间
2)
V
R
=200v,
I
F
=10a,
d
i
F
/d
t
=-200a/µs,
T
j
=150°C
t
rr
- n.一个. - ns
总的 电容
V
R
=0v,
T
C
=25°c,
f
=1MHz
V
R
=150v,
T
C
=25°c,
f
=1MHz
V
R
=300v,
T
C
=25°c,
f
=1MHz
C
-
-
-
600
55
40
-
-
-
pF
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