sf5gz47,sf5jz47
2001-07-13
1
toshiba thyrisitor 硅 planar 类型
sf5gz47,sf5jz47
中等 电源 控制 产品
repetitive 顶峰 止
−
状态 电压 :V
DRM
= 400, 600v
repetitive 顶峰 反转 电压 :V
RRM
= 400, 600v
平均 在
−
状态 电流 :I
t (av)
= 5a
分开 电压 :V
Isol
=
1
500v 交流
最大 比率
典型的 标识 比率 单位
sf5gz47 400
repetitive 顶峰
止
−
状态 电压
和 repetitive 顶峰
反转 电压
SF5JZ47
V
DRM
V
RRM
600
V
sf5gz47 500
非
−
repetitive 顶峰
反转 电压
(非
−
repetitive<5ms,
T
j
= 0~125°c)
SF5JZ47
V
RSM
720
V
平均 在
−
状态 电流
(half sine 波形 tc = 85°c)
I
t (av)
5一个
r.m.s. 在
−
状态 电流 I
t (rms)
7.8 一个
80 (50hz)
顶峰 一个 循环 surge 在
−
状态
电流 (非
−
repetitive)
I
TSM
88 (60hz)
一个
I
2
t 限制 值 I
2
t 32 一个
2
s
核心的 比率 的 上升 的 在
−
状态
电流 (便条 1)
di / dt 100 一个 / µs
顶峰 门 电源 消耗 P
GM
5 w
平均 门 电源 消耗 P
g (av)
0.5 W
顶峰 向前 门 电压 V
FGM
10 v
顶峰 反转 门 电压 V
RGM
−
5 v
顶峰 向前 门 电流 I
GM
2 一个
接合面 温度 T
j
−
40~125 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
40~125 °c
分开 电压 (交流, t = 1min.) V
Isol
1500 v
便条 1: di / dt 测试 情况, v
DRM
= 0.5 × 评估, i
TM
≤
15a, t
gw
≥
10µs,
t
gr
≤
250ns, i
gp
= i
GT
× 2.0
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 13
−
10H1B
重量: 1.7g
单位: mm
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