rev. 1.1 六月. 2005
ddr sdramddr sdram 512mb c-消逝 (x4, x8, x16)
dm 是 内部 承载 至 相一致 dq 和 dqs 相(恒)等.
行 &放大; column 地址 配置
Organization 行 地址 column 地址
128Mx4 A0~A12 a0-a9, a11, a12
64Mx8 A0~A12 a0-a9, a11
32Mx16 A0~A12 a0-a9
4.0 管脚 描述
512mb tsop-ii 包装 引脚
V
DD
1
66pin tsop
II
(400mil x 875mil)
DQ
0
2
V
DDQ
3
NC
4
DQ
1
5
V
SSQ
6
NC
7
DQ
2
8
V
DDQ
9
NC
10
DQ
3
11
V
SSQ
12
BA
0
20
CS
19
RAS
18
CAS
17
我们
16
NC
15
V
DDQ
14
NC
13
V
DD
27
一个
3
26
一个
2
25
一个
1
24
一个
0
23
ap/一个
10
22
BA
1
21
V
SS
54
DQ
7
53
V
SSQ
52
NC
51
DQ
6
50
V
DDQ
49
NC
48
DQ
5
47
V
SSQ
46
NC
45
DQ
4
44
V
DDQ
43
一个
11
35
36
CKE
37
CK
38
DM
39
V
REF
40
V
SSQ
41
NC
42
V
SS
55
一个
4
56
一个
5
57
一个
6
58
一个
7
59
一个
8
60
一个
9
34
(0.65mm 管脚 程度)
33
32
31
30
29
28
61
62
63
64
65
66
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
NC
DQS
NC
V
SS
CK
NC
一个
12
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
一个
11
CKE
CK
DM
V
REF
V
SSQ
NC
V
SS
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
一个
9
NC
DQS
NC
V
SS
CK
NC
一个
12
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
BA
0
CS
RAS
CAS
我们
NC
V
DDQ
NC
V
DD
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
ap/一个
10
BA
1
NC
NC
NC
NC
NC
V
DD
bank 地址
BA0~BA1
自动 precharge
A10
128mb x 4
64mb x 8
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
BA
0
CS
RAS
CAS
我们
LDM
V
DDQ
DQ
7
V
DD
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
ap/一个
10
BA
1
NC
LDQS
NC
NC
NC
V
DD
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
一个
11
CKE
CK
UDM
V
REF
V
SSQ
DQ
8
V
SS
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
一个
9
NC
UDQS
NC
V
SS
CK
NC
一个
12
32mb x 16