SGP15N120 SGP15N120
SGW15N120
电源 半导体
7jul-02
E
,
切换 活力 losses
0A 10A 20A 30A 40A 50一个
0mJ
2mJ
4mJ
6mJ
8mJ
10mJ
12mJ
14mJ
E
在
*
E
止
E
ts
*
E
,
切换 活力 losses
0
Ω
25
Ω
50
Ω
75
Ω
0mJ
1mJ
2mJ
3mJ
4mJ
5mJ
E
ts
*
E
在
*
E
止
I
C
,
集电级 电流
R
G
,
门 电阻
图示 13. 典型 切换 活力 losses
作 一个 函数 的 集电级 电流
(inductive 加载,
T
j
= 150
°
c,
V
CE
= 800v,
V
GE
= +15v/0v,
R
G
= 33
Ω
,
动态 测试 电路 在 图.e )
图示 14. 典型 切换 活力 losses
作 一个 函数 的 门 电阻
(inductive 加载,
T
j
= 150
°
c,
V
CE
= 800v,
V
GE
= +15v/0v,
I
C
= 15a,
动态 测试 电路 在 图.e )
E
,
切换 活力 losses
-50°c 0°C 50°C 100°C 150°C
0mJ
1mJ
2mJ
3mJ
4mJ
E
ts
*
E
在
*
E
止
Z
thJC
,
瞬时 热的 阻抗
1µs 10µs 100µs 1ms 10ms 100ms 1s
10
-3
k/w
10
-2
k/w
10
-1
k/w
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
单独的 脉冲波
D
=0.5
T
j
,
接合面 温度
t
p
,
脉冲波 宽度
图示 15. 典型 切换 活力 losses
作 一个 函数 的 接合面 温度
(inductive 加载,
V
CE
= 800v,
V
GE
= +15v/0v,
I
C
= 15a,
R
G
= 33
Ω
,
动态 测试 电路 在 图.e )
图示 16. igbt 瞬时 热的
阻抗 作 一个 函数 的 脉冲波 宽度
(
D
=
t
p
/
T
)
*)
E
在
和
E
ts
包含 losses
预定的 至 二极管 恢复.
*)
E
在
和
E
ts
包含 losses
预定的 至 二极管 恢复.
*)
E
在
和
E
ts
包含 losses
预定的 至 二极管 恢复.
C
1
=
τ
1
/
R
1
R
1
R
2
C
2
=
τ
2
/
R
2
R
,(k/w)
τ
,
(s)
0.09751 0.67774
0.29508 0.11191
0.13241 0.00656
0.10485 0.00069
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