SGW25N120_集成电路资料查询网

SGW25N120
电源 半导体
3jul-02
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=25
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-4560
上升 时间
t
r
-4052
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 730 950
下降 时间
t
f
-3039
ns
转变-在 活力
E
在
-2.22.9
转变-止 活力
E
止
-1.52.0
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=25
°
c,
V
CC
=800v,
I
C
=25a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=22
Ω
,
L
σ
1)
=180nh,
C
σ
1)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和 二极管
反转 恢复.
-3.74.9
mJ
切换 典型的, inductive 加载,
在
T
j
=150
°
C
值
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值
单位
igbt 典型的
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
-5060
上升 时间
t
r
-3643
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 820 990
下降 时间
t
f
-4250
ns
转变-在 活力
E
在
-3.84.6
转变-止 活力
E
止
-2.93.8
总的 切换 活力
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800v,
I
C
=25a,
V
GE
=15v/0v,
R
G
=22
Ω
,
L
σ
1)
=180nh,
C
σ
1)
=40pF
活力 losses 包含
“tail” 和  二极管
反转 恢复.
-6.78.4
mJ
1)
泄漏 电感 l
σ
和 偏离 capacity c
σ
预定的 至 动态 测试 电路 在 图示 e.

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SGW25N120 电源半导体 3jul-02 切换典型的, inductive 加载, 在 T j =25 ° C 值参数标识情况最小值典型值最大值单位 igbt 典型的转变-在延迟时间 t d(在) -4560 上升时间 t r -4052 转变-止延迟时间 t d(止) - 730 950 下降时间 t f -3039 ns 转变-在活力 E 在 -2.22.9 转变-止活力 E 止 -1.52.0 总的切换活力 E ts T j =25 ° c, V CC =800v, I C =25a, V GE =15v/0v, R G =22 Ω , L σ 1) =180nh, C σ 1) =40pF 活力 losses 包含 “tail” 和二极管反转恢复. -3.74.9 mJ 切换典型的, inductive 加载, 在 T j =150 ° C 值参数标识情况最小值典型值最大值单位 igbt 典型的转变-在延迟时间 t d(在) -5060 上升时间 t r -3643 转变-止延迟时间 t d(止) - 820 990 下降时间 t f -4250 ns 转变-在活力 E 在 -3.84.6 转变-止活力 E 止 -2.93.8 总的切换活力 E ts T j =150 ° C V CC =800v, I C =25a, V GE =15v/0v, R G =22 Ω , L σ 1) =180nh, C σ 1) =40pF 活力 losses 包含 “tail” 和二极管反转恢复. -6.78.4 mJ 1) 泄漏电感 l σ 和偏离 capacity c σ 预定的至动态测试电路在图示 e.

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