shf-0589 2 watt hfet
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绝对 最大 比率
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mttf 是 inversely 均衡的 至 这 设备 接合面
温度. 为 接合面 温度 和 mttf
仔细考虑 这 偏差 情况 应当 也
satisfy 这 下列的 expression:
P
直流
< (t
J
- t
L
) / r
TH
在哪里:
P
直流
= i
DS
* v
DS
(w)
T
J
= 接合面 温度 (°c)
T
L
= 含铅的 温度 (管脚 4) (°c)
R
TH
= 热的 阻抗 (°c/w)
1. 这 shf-0x89 是 一个 depletion 模式 场效应晶体管 和 需要 一个 负的 门 电压. 正常的 pinchoff 变化 从 部分-至-
部分 precludes 这 使用 的 一个 fixed 门 电压 为 所有 设备. 起作用的 偏差 电路系统 或者 手工的 门 偏差 排成直线 是
推荐 至 维持 可接受的 效能 (rf 和 热的).
2. 起作用的 偏差 电路系统 是 strongly 推荐 为 类 一个 运作 (backoff >6db).
3. 为 大 信号 运作 (< 6db backoff) 类 ab 运作 是 必需的 至 maximize 这 场效应晶体管’s performance.
被动的 门 偏差 电路系统 是 一般地 必需的 至 达到 pure 类 ab 效能. 这个 是 一般地 accomplished
使用 一个 电压 分隔物 和 温度 补偿. 每 item 1 在之上 这 门 电压 应当 是 排整齐 为 各自
设备 至 eliminate 这 影响 的 pinchoff 处理 变化.
4. choose 这 运行 电压 为基础 在 这 数量 的 backoff. 为 大 信号 运作 这 流-源 电压
应当 是 增加 至 8v 至 maximize p1db. 为 小 信号 运作 oip3 将 是 改进 用 减少 这 电压
和 增加 这 电流. 这 推荐 应用 电路 应当 是 re-优化 如果 这 推荐 7v 偏差
情况 是 不 使用. 制造 确信 这 安静的 偏差 情况 做 不 超过 这 推荐 电源 消耗
限制 (显示 在 页 1).
设计 仔细考虑 和 trade-offs
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-40 -10 20 50 80 110 140 170
运算的 (tj<140c)
abs 最大值 (tj<165c)
含铅的 温度 (c)
总的 dissipated 电源 (w)
电源 减额 曲线
N
O
T
R
E
C
O
M
M
E
N
D
E
D
F
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R
N
E
W
D
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S
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G
N
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