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资料编号:607792
 
资料名称:SI3458DV
 
文件大小: 55.1K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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1
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4
 
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Si3458DV
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 70859
s-61517—rev. b, 12-apr-99
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n-频道 60-v (d-s) 场效应晶体管
 
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
60
0.10 @ v
GS
= 10 v
3.2
60
0.13 @ v
GS
= 4.5 v
2.8
(1, 2, 5, 6) d
(4) s
n-频道 场效应晶体管
tsop-6
顶 视图
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
   

   
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
60
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个,
b
T
一个
= 25
C
I
D
3.2
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 150 c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
2.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
15
一个
单独的 avalanche 电流 I
10
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 25
C
P
D
2
wmaximum 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
1.3
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
  
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的
一个
t
5 秒
R
thJA
62.5
c/w
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
106
c/w
最大 接合面-至-含铅的 稳步的 状态 R
thJL
35
注释
一个. 表面 挂载 在 fr4 板.
b. t
5 秒.
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