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资料编号：607794
 
资料名称：SI3442DV
 
文件大小： 74.38K
   
说明：
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 250µ一个 20 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 16V,V
GS
= 0 v
1 µ一个
T
J
= 55
o
C
10 µ一个
I
GSSF
门 - 身体 泄漏, 向前
V
GS
= 8v,V
DS
= 0 v
100 nA
I
GSSR
门 - 身体 泄漏, 反转
V
GS
= -8v,V
DS
= 0 v
-100 nA
在 特性
(便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
0.4 0.7 1 V
T
J
= 125
o
C
0.3 0.5 0.8
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗 V
GS
= 4.5 v,I
D
= 4.1一个 0.039 0.06
Ω
T
J
= 125
o
C
0.06 0.11
V
GS
= 2.7v,I
D
= 3.6一个 0.05 0.075
I
D(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 4.5 v, v
DS
= 5 v
15 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 4.5v, i
D
= 4.1 一个 12 S
动态 特性
C
iss
输入 电容
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
365 pF
C
oss
输出 电容 230 pF
C
rss
反转 转移 电容 95 pF
切换 chARACTERISTICS
(便条 2)
t
d(在)
转变 - 在 延迟 时间
V
DD
= 5v, i
D
= 1 一个,
V
GEN
= 4.5 v, r
GEN
= 6
Ω
9 17 ns
t
r
转变 - 在 上升 时间 25 45 ns
t
d(止)
转变 - 止 延迟 时间 28 50 ns
t
f
转变 - 止 下降 时间 8 15 ns
Q
g
总的 门 承担
V
DS
= 10v,
I
D
= 4.1一个, v
GS
= 4.5 v
10 14 nC
Q
gs
门-源 承担 1 nC
Q
gd
门-流 承担 3.3 nC
si3442dv rev.一个
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