六月 2002
2002 仙童 半导体 公司
si3456dv rev b
Si3456DV
n-频道 powertrench
场效应晶体管
一般 描述
这些 n-频道 逻辑 水平的 mosfets 是 生产
使用 仙童 半导体’s 先进的 电源
trench 处理 那 有 被 特别 tailored 至
降低 这 在-状态 阻抗 和 还 维持
更好的 切换 效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和
电池 powered 产品 在哪里 低 在-线条 电源
丧失 和 快 切换 是 必需的.
特性
5.1 一个, 30 v. R
ds(在)
= 45 m
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 65 m
@ v
GS
= 4.5 v
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
低 门 承担
高 电源 和 电流 处理 能力
D
D
D
S
D
G
supersot -6
TM
6
5
4
1
2
3
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1a)
5.1 一个
– 搏动 20
最大 电源 消耗
(便条 1a)
1.6 WP
D
(便条 1b)
0.8
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
C
热的 特性
R
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
78
c/w
R
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
(便条 1)
30
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
.456 Si3456DV 7’’ 8mm 3000 单位
Si3456DV
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