si3456dv rev b
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, I
D
= 250
一个
30 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
一个, 关联 至 25
C
25
mv/
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 30 v, V
GS
= 0 v 1
一个
T
J
=70
C
5
I
GSS
gate–body 泄漏
V
GS
=
20 v, V
DS
= 0 v
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
,i
D
= 250
一个
11.5 2 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
一个, 关联 至 25
C
–4
mv/
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 5.1 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 4.3 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 5.1 一个, t
J
=125
C
33
44
49
45
65
71
m
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= 10 v, V
DS
= 5 v 15 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 10 v, I
D
= 5.1 一个 12 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 463 pF
C
oss
输出 电容 109 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
44 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 1.1
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 6.3 13 nS
t
r
turn–on 上升 时间 6 12 nS
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 20 36 nS
t
f
turn–off 下降 时间
V
DS
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
2.3 4.6 nS
Q
g
总的 门 承担 9 12.6 nC
Q
gs
gate–source 承担 1.4 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 15 v, I
D
= 5.1 一个,
V
GS
= 10 v
1.6 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 1.3 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= 1.3 一个
(便条 2)
0.77 1.2 V
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 18 nS
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
I
F
= 5.1a
d
如果
/d
t
= 100 一个/µs
(便条 2)
17 nC
注释:
1.
R
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 阻抗在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 mounting 表面 的 这 流
管脚. r
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个. 78°c/w 当 挂载 在 一个 1in
2
垫子 的 2oz 铜 在 fr-4 板.
b. 156°c/w 当 挂载 在 一个 最小 垫子.
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2.0%
Si3456DV
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