Si3056
si3018/19/10
rev. 1.02 7
图示 1. 测试 电路 为 循环 特性
表格 3. 直流 特性, v
D
=3.3 v
(v
D
=
3.0 至 3.6 v, t
一个
=
0 至 70 °c)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
高 水平的 输入 电压 V
IH
2.4 — — V
低 水平的 输入 电压 V
IL
——0.8V
高 水平的 输出 电压 V
OH
I
O
=–2 毫安 2.4 — — V
低 水平的 输出 电压 V
OL
I
O
= 2 毫安 — — 0.35 V
输入 泄漏 电流 I
L
–10 — 10 µA
电源 供应 current, 数字的
1
I
D
V
D
管脚 — 15 — 毫安
总的 供应 电流, 睡眠 模式
1
I
D
PDN = 1, pdl = 0 — 9 — 毫安
总的 供应 电流, 深的 睡眠
1,2
I
D
PDN = 1, pdl = 1 — 1 — 毫安
注释:
1.
所有 输入 在 0.4 或者 v
D
– 0.4 (cmos 水平). 所有 输入 是 使保持 static 除了 时钟 和 所有 输出 unloaded
(静态的 i
输出
=
0ma).
2.
RGDT
是 不 函数的 在 这个 状态.
TIP
环绕
+
–
V
TR
600
Ω
10
µ
F
I
L
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