Si3035
16 rev. 1.2
bill 的 材料
表格 13. 组件 values—typical 应用
组件
1
值 供应者(s)
c1,c4 150 pf, 3 kv, x7r, ±20% novacap, venkel, johanson, murata,
panasonic, smec
C2 不 安装
C3 0.22
µ
f, 16 v, x7r, ±20%
C5 1 µf, 16 v, tant/elec, ±20%
c6,c10,c16 0.1 µf, 16 v, x7r, ±20%
c7,c8,c9 15 nf, 250 v, x7r, ±20% novacap, johanson, murata, panasonic, smec
C11 39 nf, 16 v, x7r, ±20%
C12
2
2.7 nf, 16 v, x7r, ±20%
C23
2
0.1 µf, 16 v, tant/elec/x7r, ±20%
c24, c25, c31,c32
3
1000 pf, 3 kv, x7r, ±10% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic, smec
C30
4
不 安装
d1,d2
5
双 二极管, 300 v, 225 毫安 central 半导体
d3,d4 bav99 双 二极管, 70 v, 350 mw 二极管, inc., onsemiconductor, 仙童
fb1,fb2 ferrite bead Murata
q1,q3 a42, npn, 300 v onsemiconductor, 仙童
Q2 a92, npn, 300 v onsemiconductor, 仙童
RV1 sidactor, 275 v, 100 一个 teccor, st 微电子学, microsemi, 德州仪器
RV2 mov, 240 v Panasonic
R1 51
Ω
, 1/2 w ±5%
R2 15
Ω
, 1/4 w ±5%
R3
6
不 安装
R4
2
,r18,r21
2
301
Ω
, 1/10 w, ±1%
r5,r6 36 k
Ω
, 1/10 w ±5%
r9,r10 2 k
Ω
, 1/10 w ±5%
r22,r23 20 k
Ω
, 1/10 w ±5%
r27,r28 10
Ω
, 1/10 w ±5%
U1 Si3021 硅 labs
U2 Si3012 硅 labs
Z1 齐纳 二极管, 18 V vishay, rohm, onsemiconductor
z4,z5 齐纳 二极管, 5.6 v, 1/2 w 二极管, inc., onsemiconductor, 仙童
注释:
1.
这 下列的 涉及 designators 是 intentionally omitted: c13–c15, c17–c22, c26–c29, r7, r8, r11–r17,
r19, 和 r20.
2.
如果 jate 支持 是 不 必需的, c12, 和 c23 将 是 移除.
3.
alternate population 选项 是 c24, c25 (2200 pf, 3 kv, x7r, ±10% 和 c31, c32 不 安装).
4.
安装 仅有的 如果 需要 为 改进 radiated emissions 效能 (10 pf, 16 v, npo, ±10%).
5.
一些 二极管 桥 配置 是 可接受的 (供应者 包含 一般 semi, 二极管 inc.)
6.
如果 这 承担 打气 是 不 使能 (和 这 cpe 位 在 寄存器 6), v
一个
必须 是 4.75 至 5.25 v. r3 能 是 安装 和
一个 10
Ω
, 1/10 w, ±5% 如果 v
D
是 也 4.75 至 5.25 v.
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