Si3232
4 初步的 rev. 0.96
1. 电的 规格
表格 1. 绝对 最大 比率 和 热的 信息
1
参数 标识 测试 情况 值 单位
供应 电压, si3200 和 si3232
V
DD
, v
DD1
–V
DD4
–0.5 至 6.0 V
高 电池 供应 电压
2
V
BATH
持续的 0.4 至 –104 V
10 ms 0.4 至 –109
低 电池 供应 电压, si3200
2
V
BAT
,
V
BATL
持续的 V
BATH
V
tip 或者 环绕 电压, si3200
V
TIP
, v
环绕
持续的
脉冲波 < 10
µ
s
脉冲波 < 4
µ
s
–104
V
BATH
–15
V
BATH
–35
V
V
V
tip, 环绕 电流, si3200 I
TIP
, i
环绕
±100 毫安
stipac, stipdc, sringac,
sringdc 电流, si3232
±20 毫安
输入 电流, 数字的 输入 管脚 I
在
持续的 ±10 毫安
数字的 输入 电压 V
IND
–0.3 至 (
V
DD
+ 0.3) V
运行 温度 范围 T
一个
–40 至 100 °C
存储 温度 范围 T
STG
–40 至 150 °C
si3232 热的 阻抗, 典型
3
(tqfp-64 epad)
θ
JA
25 °c/w
si3200 热的 阻抗, 典型
3
(soic-16 epad)
θ
JA
55 °c/w
持续的 电源 消耗,
Si3200
4
P
D
T
一个
= 85 °c, soic-16 1 W
持续的 电源 消耗,
Si3232
P
D
T
一个
= 85 °c, tqfp-64 1.6 W
注释:
1.
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 这 在之上 绝对最大 比率 是 超过. 函数的 运作
应当 是 restricted 至 这 情况 作 指定 在 这 operational sections 的 这个 数据 薄板. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展时期 将 影响 设备 可靠性.
2.
这 dv/dt 的 这 电压 应用 至 这 v
BAT
, v
BATH
, 和 v
BATL
管脚 必须 是 限制 至 10 v/
µ
s.
3.
这 热的 阻抗 的 一个 exposed 垫子 包装 是使确信 当 这 推荐 pcb 布局 指导原则 是
followed correctly. 这 指定 效能 需要 那这 exposed 垫子 是 焊接 至 一个 exposed 铜 表面
的 equal 大小 和 那 多样的 vias 是 增加 至 使能热温 转移 在 这 顶-一侧 铜 表面 和 一个 大
内部的 铜 地面 平面. 谈及 至 “an55: 双 proslic™ 用户 guide” 或者 至 the si3232 evaluation 板 数据
薄板 为 明确的 布局 examples.
4.
在-碎片 热的 限制的 电路系统 将 shut 向下 这 circuit 在 一个 接合面 温度 的 大概 150 °c. 为
最优的 可靠性, 运作 在之上 140 °c 接合面 温度 应当 是 避免.
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