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资料编号:607955
 
资料名称:Si4112-BT
 
文件大小: 713.7K
   
说明
 
介绍:
DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4133
16 rev. 1.1
函数的 描述
这 si4133 是 一个 大而单一的 整体的 电路 那
执行 如果 和 双-带宽 rf 综合 为 无线的
communications 产品. 这个 整体的 电路
(ic), 和 minimal 外部 组件, 完成 这
频率 综合 函数 需要 为 rf
communications 系统.
这 si4133 有 三 完全 阶段-锁 循环
(plls) 和 整体的 电压-控制 oscillators
(vcos). 这 低 阶段 噪音 的 这 vcos 制造 这
si4133 合适的 为 使用 在 要求 无线的
communications 产品. 阶段 detectors, 循环
过滤, 和 涉及 和 输出 频率 dividers 是
整体的. 这 ic 是 编写程序 通过 一个 三-线
串行 接口.
二 plls 是 提供 为 双-带宽 rf 综合.
这些 rf plls 是 多路复用 所以 那 仅有的 一个 pll 是
起作用的 在 一个 给 时间 (作 决定 用 这 设置 的
一个 内部的 寄存器). 这 起作用的 pll 是 这 last 一个
写. 这 中心 频率 的 这 vco 在 各自 pll 是
设置 用 这 值 的 一个 外部 电感. 不精确
在 这些 inductances 是 补偿 为 用 这 自-
tuning algorithm. 这 algorithm 是 run 下列的 电源-
向上 或者 下列的 一个 改变 在 这 编写程序 输出
频率.
各自 rf pll, 当 起作用的, 能 调整 这 rf 输出
频率 用 ±5% 的 它的 vco’s 中心 频率.
因为 这 二 vcos 能 是 设置 至 有 widely
separated 中心 发生率, 这 rf 输出 能 是
编写程序 至 维护 二 widely separated 频率
bands 用 simply 程序编制 这 相应的 n-
分隔物. 一个 rf vco 是 优化 至 有 它的 中心
频率 设置 在 947 mhz 和 1.72 ghz, 当
这 第二 rf vco 是 优化 至 有 它的 中心
频率 设置 在 789 mhz 和 1.429 ghz.
一个 pll 是 提供 为 如果 频率 综合. 这
中心 频率 的 这个 电路’s vco 是 设置 用
连接 的 一个 外部 电感. 这 pll 能
调整 这 如果 输出 频率 用 ±5% 的 这 vco
中心 频率. 不精确 在 这 值 的 这
外部 电感 是 补偿 为 用 这
si4133’s 专卖的 自-tuning algorithm. 这个
algorithm 是 initiated 各自 时间 这 pll 是 powered-向上
(用 也 这 pwdnb 管脚 或者 用 软件) 和/或者 各自
时间 一个 新 输出 频率 是 编写程序.
这 如果 vco 能 有 它的 中心 频率 设置 作 低 作
526 mhz 和 作 高 作 952 mhz. 一个 如果 输出 分隔物
是 提供 至 分隔 向下 这 如果 输出 发生率, 如果
需要. 这 分隔物 是 可编程序的, 有能力 的
dividing 用 1, 2, 4, 或者 8.
这 唯一的 pll architecture 使用 在 这 si4133
生产 安排好 (锁) 时间 那 是 comparable 在
速 至 fractional-n architectures 没有 suffering 这
高 阶段 噪音 或者 spurious 调制 影响 常常
有关联的 和 那些 设计.
串行 接口
一个 定时 图解 为 这 串行 接口 是 显示 在
图示 2 在 页 7. 图示 3 在 页 7 显示 这
format 的 这 串行 文字.
这 si4133 是 编写程序 serially 和 22-位 words
包括 的 18-位 数据 地方 和 4-位 地址 地方.
当 这 串行 接口 是 使能 (i.e., 当 senb 是
低) 数据 和 地址 位 在 这 sdata 管脚 是
clocked 在 一个 内部的 变换 寄存器 在 这 rising 边缘
的 sclk. 数据 在 这 变换 寄存器 是 然后 transferred 在
这 rising 边缘 的 senb 在 这 内部的 数据 寄存器
addressed 在 这 地址 地方. 这 串行 接口 是
无能 当 senb 是 高.
表格 12 在 页 21 summarizes 这 数据 寄存器
功能 和 地址. 这 内部的 变换 寄存器 将
ignore 任何 leading 位 在之前 这 22 必需的 位.
设置 这 vco 中心 发生率
这 plls 能 调整 这 如果 和 rf 输出 发生率
±5% 的 这 中心 发生率 的 它们的 vcos. 各自
中心 频率 是 established 用 这 值 的 一个
外部 电感 连接 至 这 各自的 vco.
制造 容忍 的 ±10% 为 这 外部
inductances 是 可接受的. 这 si4133 将
compensate 为 不精确 在 各自 电感 用
executing 一个 自-tuning algorithm 下列的 pll 电源-
向上 或者 下列的 一个 改变 在 这 编写程序 输出
频率.
因为 这 总的 tank 电感 是 在 这 低 nh
范围, 这 电感 的 这 包装 needs 至 是
考虑 在 determining 这 准确无误的 外部
电感. 这 总的 电感 (l
TOT
) 提交 至
各自 vco 是 这 总 的 这 外部 电感 (l
EXT
)
和 这 包装 电感 (l
PKG
). 各自 vco 有 一个
名义上的 电容 (c
NOM
) 在 并行的 和 这 总的
电感, 和 这 中心 频率 是 作 跟随:
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