si6923dq rev. 一个 (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= –250
µ
一个
–20 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 to25
°
C
–16
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –16 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSSF
gate–body 泄漏, 向前 V
GS
= –12 v, V
DS
= 0 v –100 nA
I
GSSR
gate–body 泄漏, 反转 V
GS
= 12 v, V
DS
= 0 v 100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–0.6 –1.0 –1.5 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 to25
°
C
3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –4.5 v, I
D
= –3.5 一个
V
GS
= –2.5 v, I
D
= –2.7 一个
V
GS
=–4.5 v, i
D
=–3.5a, t
J
=125
°
C
36
56
49
45
75
72
m
Ω
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= –4.5 v, V
DS
= –5 v –15 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= –5 v, I
D
= –3.5a 13.2 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1015 pF
C
oss
输出 电容 446 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –10 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
118 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 11 20 ns
t
r
turn–on 上升 时间 18 32 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 34 55 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= –5 v, I
D
= –1 一个,
V
GS
= –4.5 v, R
GEN
= 6
Ω
34 55 ns
Q
g
总的 门 承担 9.7 16 nc
Q
gs
gate–source 承担 2.2 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –5v, I
D
= –3.5 一个,
V
GS
= –4.5 v
2.4 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –1.25 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= –1.25 一个
(便条 2)
–0.6 –1.2 v
I
GSSR
gate–body 泄漏, 反转 V
GS
= 12 v, V
DS
= 0 v 100 nA
肖特基 二极管 特性
T
J
=25
°
C
0.6 50
µ
一个
I
R
反转 泄漏 V
R
= 20v
T
J
=125
°
C
1 8 毫安
T
J
=25
°
C
0.48 0.55 v
V
F
向前 电压 I
F
= 1a
T
J
=125
°
C
0.42 0.50 v
C
T
接合面 电容 V
R
= 10v 50 pF
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
R
θ
JA
是 115
°
c/w 为 这 场效应晶体管 和 130
°
c/w 为 这 肖特基 二极管 当 挂载 在 一个 最小 垫子.
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
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