Si7540DP
vishay siliconix
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4
文档 号码: 71911
s-22387
—
rev.. c, 16-dec-02
典型 特性 (25
c 除非 指出) N−CHANNEL
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
012345
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 11.8 一个
20
10
1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
- 源-至-流 电压 (v) V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 源 电流 (一个)I
S
I
D
= 5 一个
0
24
40
8
16
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
32
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
- 温度 (
c)
100 6000.10.01
1
10
safe 运行 范围, 接合面-至-包围的
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
- 流 电流 (一个)I
D
10 s
直流
0.1
I
DM
限制
I
d(在)
限制
r
ds(在)
限制
BV
DSS
限制
1 s
100 ms
10 ms
1 ms
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