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资料编号:608251
 
资料名称:SI7456DP
 
文件大小: 61.46K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si7456DP
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71603
s-31989—rev. d, 13-oct-03
规格 (t
J
= 25
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 2 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 100 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 100 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C 20
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
40 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 9.3 一个
0.021 0.025
Dra在-源 在-状态Resistance
一个
r
ds(在)
V
GS
= 6.0 v, i
D
= 8.8 一个 0.023 0.028
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 9.3 一个 35 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 4.3 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
36 44
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 9.3 一个 10 nC
门-流 承担 Q
gd
8.6
门 阻抗 R
g
0.5 1.27 2.1
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
20 40
上升 时间 t
r
V
DD
= 50 v, r
L
= 50
10 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 50 v,R
L
= 50
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
46 90
ns
下降 时间 t
f
26 50
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 4.3 一个, di/dt = 100 一个/
s 50 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
8
16
24
32
40
0123456
0
8
16
24
32
40
012345
V
GS
= 10 thru 6 v
T
C
= 125
C
-55
C
4 v
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
5 v
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