Si7456DP
vishay siliconix
文档 号码: 71603
s-31989—rev. d, 13-oct-03
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3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0 102030405060
0.5
0.8
1.1
1.4
1.7
2.0
2.3
2.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
0 6 12 18 24 30 36
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0 8 16 24 32 40
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 50 v
I
D
= 9.3 一个
I
D
-流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 9.3 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 6.0 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
-门-至-源 电压 (v)
Q
g
-总的 门 承担 (nc)
C-电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
-接合面 温度 (
c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0246810
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 9.3 一个
40
10
1
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
-源-至-流 电压 (v) V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-源 电流 (一个)I
S