特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
新 微观的 foot
chipscale 包装
减少 footprint 范围 profile (0.62 mm) 和
在-阻抗 每 footprint 范围
管脚 兼容 至 工业 标准 si3443dv
产品
pa, 电池 和 加载 转变
电池 charger 转变
pa 转变
Si8401DB
vishay siliconix
文档号码: 71674
s-40384—rev. f, 01-三月-04
www.vishay.com
1
p-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
−
20
0.065 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
4.9
−
20
0.095 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
4.1
微观的 foot
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
32
41
S
DD
G
bump 一侧 视图 backside 视图
设备 标记: 8401
xxx = 日期/lottraceability 代号
8401
xxx
订货 信息: si8401db-t1
si8401db-t1—e3 (含铅的 自由)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
20
V
门-源 电压 V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
4.9
−
3.6
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
−
3.9
−
2.8
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
−
2.5
−
2.5
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.77 1.47
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.77 0.94
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
包装 软熔焊接 情况
b
VPR 215/245
c
C包装 软熔焊接 情况
b
ir/convection 220/250
c
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
5 秒
R
35 45
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
72 85
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
16 20
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
b. 谈及 至 ipc/电子元件工业联合会 (j-标准-020a), 非 手工的 或者 hand 焊接.
c. 包装 软熔焊接 情况 为 含铅的-自由.
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