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资料编号:608322
 
资料名称:SI8401DB-T1-E3
 
文件大小: 83.72K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si8401DB
vishay siliconix
文档 号码: 71674
s-40384—rev. f, 01-三月-04
www.vishay.com
5
包装外形
微观的 foot: 4-bump (2 x 2, 0.8-mm pitch)
注释 (除非 否则 指定):
1. 激光器 mark 在 这 硅 消逝 后面的, coated 和 一个 薄的 metal.
2. bumps 是 eutectic 焊盘 63/57 sn/铅. (sn 3.8 ag, 0.7 cu 为 pb-free bumps)
3. 非-焊盘 掩饰 定义 铜 landing 垫子.
4. 这 flat 一侧 的 wafers 是 朝向 在 这 bottom.
bump 便条 2
8401
XXX
推荐 地带
mark 在 backside 的 消逝
4
0.30
0.31
便条 3
焊盘 掩饰
0.40
b diamerter
e
e
一个
一个
2
一个
1
e S
D
e
S
E
MILLIMETERS* 英寸
Dim 最小值 最大值 最小值 最大值
一个
0.600 0.650 0.0236 0.0256
一个
1
0.260 0.290 0.0102 0.0114
一个
2
0.340 0.360 0.0134 0.0142
b
0.370 0.410 0.0146 0.0161
D
1.520 1.600 0.0598 0.0630
E
1.520 1.600 0.0598 0.0630
e
0.750 0.850 0.0295 0.0335
S
0.370 0.380 0.0146 0.0150
* 使用 毫米 作 这 primary 度量.
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