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mrf5007 mrf5007r1
motorola rf 设备 数据
设计 仔细考虑
这 mrf5007 是 一个 common–source, rf 电源, n–chan-
nel 增强 模式, m
etal–Oxide 半导体
F
ield–Effect transistor (场效应晶体管). motorola rf mosfets
特性 一个 vertical 结构 和 一个 planar 设计. motorola
应用 便条 an211a, “fets 在 theory 和 实践,” 是
建议的 读 为 那些 不 familiar 和 这 construc-
tion 和 特性 的 fets.
这个 表面 挂载 packaged 设备 是 设计 pri-
marily 为 vhf 和 uhf 可携带的 电源 放大器 applica-
tions. manufacturability 是 改进 用 utilizing 这 录音带 和
卷轴 能力 为 全部地 automated 挑选 和 placement 的
部分. 不管怎样, 小心 应当 是 带去 在 这 设计 处理
至 insure 恰当的 热温 sinking 的 这 设备.
这 主要的 有利因素 的 rf 电源 mosfets 包含
高 增益, 简单的 偏差 系统, 相关的 免除 从 ther-
mal runaway, 和 这 能力 至 承受 severely mis-
matched 负载 没有 suffering 损坏.
场效应晶体管 capacitances
这 物理的 结构 的 一个 场效应晶体管 结果 在 电容
在 所有 三 terminals. 这 metal oxide 门 结构
确定 这 电容 从 gate–to–drain (c
gd
), 和
gate–to–source (c
gs
). 这 pn 接合面 formed 在 fabrica-
tion 的 这 rf 场效应晶体管 结果 在 一个 接合面 电容 从
drain–to–source (c
ds
). 这些 capacitances 是 典型
作 输入 (c
iss
), 输出 (c
oss
) 和 反转 转移 (c
rss
) ca-
pacitances 在 数据 薄板. 这 relationships 在 这 在-
ter–terminal capacitances 和 那些 给 在 数据 薄板 是
显示 在下. 这 c
iss
能 是 指定 在 二 方法:
1. 流 短接 至 源 和 积极的 电压 在 这 门.
2. 积极的 电压 的 这 流 在 遵守 至 源 和 零
伏特 在 这 门.
在 这 latter 情况, 这 号码 是 更小的. 不管怎样, neither
方法 代表 这 真实的 运行 情况 在 rf ap-
plications.
C
gd
门
源
C
gs
流
C
ds
C
iss
= c
gd
+ c
gs
C
oss
= c
gd
+ c
ds
C
rss
= c
gd
流 特性
一个 核心的 图示 的 merit 为 一个 场效应晶体管 是 它的 静态的 阻抗
在 这 full–on 情况. 这个 on–resistance, r
ds(在)
, occurs
在 这 直线的 区域 的 这 输出 典型的 和 是 speci-
fied 在 一个 明确的 gate–source 电压 和 流 电流. 这
drain–source 电压 下面 这些 情况 是 termed
V
ds(在)
. 为 mosfets, v
ds(在)
有 一个 积极的 温度
系数 在 高 温度 因为 它 contributes 至 这
电源 消耗 在里面 这 设备.
门 特性
这 门 的 这 rf 场效应晶体管 是 一个 polysilicon 材料, 和
是 用电气 分开的 从 这 源 用 一个 layer 的 oxide.
这 直流 输入 阻抗 是 非常 高 — 在 这 顺序 的 10
9
Ω
— 结果 在 一个 泄漏 电流 的 一个 few nanoamperes.
门 控制 是 达到 用 应用 一个 积极的 电压 至
这 门 更好 比 这 gate–to–source 门槛 电压,
V
gs(th)
.
门 电压 比率
— 从不 超过 这 门 电压
比率. exceeding 这 评估 v
GS
能 结果 在 永久的
损坏 至 这 oxide layer 在 这 门 区域.
门 末端
— 这 门 的 这些 设备 是 es-
sentially 电容. 电路 那 leave 这 门 open–cir-
cuited 或者 floating 应当 是 避免. 这些 情况 能
结果 在 turn–on 的 这 设备 预定的 至 电压 build–up 在
这 输入 电容 预定的 至 泄漏 电流 或者 pickup.
门 保护
— 这些 设备 做 不 有 一个 内部的
大而单一的 齐纳 二极管 从 gate–to–source. 如果 门 protec-
tion 是 必需的, 一个 外部 齐纳 二极管 是 推荐
和 适合的 rf 解耦.
使用 一个 电阻 至 保持 这 gate–to–source 阻抗
低 也 helps dampen 过往旅客 和 serves 另一 impor-
tant 函数. 电压 过往旅客 在 这 流 能 是 结合
至 这 门 通过 这 parasitic gate–drain 电容. 如果
这 gate–to–source 阻抗 和 这 比率 的 电压
改变 在 这 流 是 两个都 高, 然后 这 信号 结合 至
这 门 将 是 大 足够的 至 超过 这 gate–threshold
电压 和 转变 这 设备 在.
直流 偏差
自从 这 mrf5007 是 一个 增强 模式 场效应晶体管, 流
电流 flows 仅有的 当 这 门 是 在 一个 高等级的 潜在的 比
这 源. 看 图示 7 为 一个 典型 plot 的 流 电流
相比 门 电压. rf 电源 fets 运作 optimally 和
一个 安静的 流 电流 (i
DQ
), 谁的 值 是 应用
依赖. 这 mrf5007 是 典型 在 i
DQ
= 75
毫安, 这个 是 这 建议的 值 的 偏差 电流 为 典型
产品. 为 特定的 产品 此类 作 直线的 amplifi-
cation, i
DQ
将 有 至 是 选择 至 优化 这 核心的
参数.
这 门 是 一个 直流 打开 电路 和 牵引 非 电流. 那里-
fore, 这 门 偏差 电路 将 一般地 是 just 一个 简单的 re-
sistive 分隔物 网络. 一些 特定的 产品 将
需要 一个 更多 elaborate 偏差 系统.
增益 控制
电源 输出 的 这 mrf5007 将 是 控制 至 一些
程度 和 一个 低 电源 直流 控制 信号 应用 至 这 门,
因此 facilitating 产品 此类 作 手工的 增益 控制,
alc/agc 和 调制 系统. 图示 6 是 一个 例子
的 输出 电源 变化 和 gate–source 偏差 电压. 这个
典型的 是 非常 依赖 在 频率 和 加载 线条.
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