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文档 号码: 73541
s-52083–rev. 一个, 10-oct-05
vishay siliconix
SiP12201
新 产品
注释
一个. 设备 挂载 和 所有 leads 焊接 或者 welded 至 pc 板
b. 减额 14 mw/°c 在之上 + 85 °c
压力 在之外 那些 列表 下面 "absolute 最大 比率" 将 导致 永久的 damage 至 这 设备. 这些 是 压力 比率s 仅有的,
和 函数的 运作 的 这 设备 在 these 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 indicated 在 这 运算的 sections 的 the 规格 是
不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率/conditions 为 扩展 时期 将影响 设备 可靠性.
绝对 最大 比率
参数 限制 单位
V
在
, lx 至 地
29
V
bst 至 lx
6
fb, 竞赛/sd
至 地 - 0.3 至 6
电源 消耗
一个, b
560 mW
最大 接合面 温度 125
°C
存储 温度 - 55 至 + 150
推荐 运行 范围
参数 限制 单位
输入 电压 范围 4.2 至 26.0
V
输出 电压 调整 范围 0.6 至 5.5
运行 温度 范围 - 40 至 + 85 °C
规格
一个
参数 标识
测试 情况 除非 指定
V
在
= 5.5 至 26 v
限制
-40 至 85°c
单位
最小值
一个
典型值
b
最大值
一个
控制
输入 电压
V
在
4.2 26.0 V
安静的 电流 非 切换 850 1250 µA
内部的 供应 电压 V
L
4.8 5.5
V
振荡器 频率 f
OSC
400 500 600
kHz
振荡器 ramp 振幅
∆
V
OSC
1
V
最大值 职责 循环 直流 87 93 %
反馈 电压
V
FB
T
一个
= 25°c
0.591 0.600 0.609
V
0.585 0.615
fb 输入 偏差 电流 I
FB
100
nA
跨导 GM 2ma/v
软 开始 4ms
输入 和 输出
SD
输入 电压 V
IL
0.15 V
关闭 电流 I
SD
120 225
µA
场效应晶体管 驱动器
破裂-在之前-制造 时间 t
BBM
10
ns
highside 驱动器
输出 电压 V
DH
4.5
V
在 阻抗
R
DS
HH
V
在
= v
BST
= v
LX
= 4.5 v 8.7 13
Ω
R
DS
HL
V
在
= v
BST
= v
LX
= 4.5 v 2.3
3.6
Ω
上升 时间 t
rH
V
在
= v
L
= v
BST
= 5 v, c
L
= 2.7 nf
51
ns
下降 时间 t
fH
V
在
= v
L
= v
BST
= 5 v, c
L
= 2.7 nf
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