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10 0898 © 用 semikron
skm 50 gb 063 d
m50gb06.xls-18
0
0,2
0,4
0,6
0,8
0 20406080100
I
F
一个
E
的fD
mJ
40 Ω
25 Ω
80 Ω
15 Ω
R
G
=
10 Ω
m50gb06.xls-17
0
20
40
60
80
0 0,4 0,8 1,2 1,6 2
V
F
V
I
F
一个
T
j
=125°c typ.
T
j
=25°c 典型值
T
j
=125°c 最大值
T
j
=25°c 最大值
m50gb06.xls-16
10
100
1000
020406080100120
R
G
Ω
t
ns
t
doff
t
don
t
r
t
f
m50gb06.xls-15
10
100
1000
0 20406080100120
I
C
一个
t
ns
t
doff
t
don
t
r
t
f
m50gb06.xls-14
0,01
0,1
1
10
010203040
V
CE
V
C
nF
C
ies
C
oes
C
res
m50gb06.xls-13
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
04080120160
Q
门
nC
V
GE
V
100V
300V
图. 13 典型值 gate charge 典型的 图. 14 典型值 capacitances vs.v
CE
V
GE
= 0 v
f = 1 mhz
Fi
g. 15 典型值 切换时间 vs. i
C
图. 16 典型值 切换时间 vs. 门 电阻 r
G
图. 17 典型值 cal 二极管 向前 典型的 图. 18 二极管 转变-止 energy 消耗 每 脉冲波
T
j
= 125 °c
V
CE
= 300 v
V
GE
= ± 15 v
I
C
= 50 一个
induct. 加载
I
Cpuls
= 50 一个
T
j
= 125 °c
V
CE
= 300 v
V
GE
= ± 15 v
R
Gon
= 22
Ω
R
Goff
= 22
Ω
induct. 加载
V
CC
= 300 v
T
j
= 125 °c
V
GE
= ± 15 v