SEMITRANS
TM
3
IGBT Modules
SKM 200GB173D
SKM 200GB173D1
SKM 200GAL173D
SKM 200GAR173D
特性
!
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12
典型 产品
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432
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GB GAL GAR
绝对 最大 比率
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7 13 8* #
标识 情况 值 单位
IGBT
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/422
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*
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7 13 ;2 8* 112 /32 +
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7 / 022 +
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' A2 666 B /32 /13 8*
+* / 6 A222
Inverse 二极管
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(
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7 13 ;2 8* /32 /22 +
&放大;
(<
7 / 022 +
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(
7 /2 C 6C .
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7 /32 8* /a32 +
Freewheeling 二极管
&放大;
(
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7 13 ;2 8* 102 /32 +
&放大;
(<
7 / A22 +
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(
7 /2 C C .
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7 /32 8* 1122 +
特性
.
7 13 8* #
标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
IGBT
=9
=9
7
*9
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*
7 /2 + a; 33 $1
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*9
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7 2
*9
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7 13 /13 8* 2/ 20 +
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7 13 /13 8* /$3 /d /d 1/3
*9
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7 13 /13 8* //4 /40 /00 /d E
*9
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7 /32 +
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*
# 12 (
*
=9
7 2
*9
7 13 # 7 / F 1 (
*
233 (
*9
12
<
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7 13 /13 8* 203 23 E
**
7 /122 &放大;
*
7 /32 + 3;2
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7 <
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7 一个 E .
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7 /13 8* /22
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=9
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A2
9
9
##
D3 A3 H
Inverse 二极管
(
7
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(
7 /32 +C
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7 2 C .
?
7 13 /13
8*
11 /d 14
.
.
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7 /13 8* /0 /3
.
.
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(
7 /32 +C .
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7 13 /13 8* $2 ;3 +
I
J 7 /222 +JK /3 0; K*
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FWD
(
7
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7 /32 +C
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7 13 /13 8* 1 /; 1A
.
.
?
7 /13 8* /0 /3
.
.
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7 /13 8* 03 A3 E
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<<
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(
7 /32 +C .
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7 13 /13 8* 43 //2 +
I
J 7 +JK 12 32 K*
9
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7 H
热的 特性
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(m, 21/ LJM
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'
220; LJM
机械的 数据
N $ 0 3
$
013
SKM 200GB173D
1 14-09-2005 RAA © 用 SEMIKRON