s3e 1 消逝 id &放大; gm vs vg
0.10
1.00
10.00
100.00
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
vgs 在 伏特
id 在 放大器; gm 在 mhos
Id
gM
s3e 1 消逝 电容
10
100
1000
0 10 20 30 40 50
vds 在 伏特
Coss
Ciss
Crss
sm341 freq=175 mhz; idq=.5a, vds=50vdc
0
40
80
120
160
200
240
0 5 10 15 20
管脚 在 watts
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
效率 = 55%
Pout
增益
直线的 @ 120w
p1db = 200w
polyfet rf 设备
pout vs 管脚 图表
电容 vs 电压
id &放大; gm vs vgsiv 曲线
zin zout 包装 维度 在 英寸
SM341
s3e 1 消逝 iv
0
5
10
15
20
25
30
35
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vds 在 伏特
id 在 放大器
vg=2v Vg=4v Vg=6v vg=8v 0 vg=12v
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax: (805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
修订 07/11/2001
容忍 .xx +/-0.01 .xxx +/-.005 英寸