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tgoddard/sp207h/9614r0 sp207h/sp211h high–speed transceivers © 版权 2000 sipex 公司
图示 2. 承担 打气 — 阶段 2
负的 一侧 的 capcitor c
2
. 那里 是 一个 free–
运动 振荡器 那 控制 这 四 阶段
的 这 电压 shifting. 一个 描述 的 各自
阶段 跟随.
阶段 1
— v
SS
承担 存储 —during 这个 阶段 的 这
时钟 循环, 这 积极的 一侧 的 电容 c
1
和 c
2
是 initially charged 至 +5v. c
l
+
是 然后
切换 至 地面 和 这 承担 在 c
1
–
是
transferred 至 c
2
–
. 自从 c
2
+
是 连接 至
+5v, 这 电压 潜在的 横过 电容 c
2
是
now 10v.
阶段 2
— v
SS
转移 — 阶段 二 的 这 时钟 con-
nects 这 负的 终端 的 c
2
至 这 v
SS
存储 电容 和 这 积极的 终端 的 c
2
至 地面, 和 transfers 这 发生 –l0v 至
C
3
. 同时发生地, 这 积极的 一侧 的 capaci-
tor c
1
是 切换 至 +5v 和 这 负的 一侧
是 连接 至 地面.
阶段 3
— v
DD
承担 存储 — 这 第三 阶段 的 这
时钟 是 完全同样的 至 这 第一 阶段 — 这 承担
transferred 在 c
1
生产 –5v 在 这 负的
终端 的 c
1
, 这个 是 应用 至 这 负的
一侧 的 电容 c
2
. 自从 c
2
+
是 在 +5v, 这
电压 潜在的 横过 c
2
是 l0v.
阶段 4
— v
DD
转移 — 这 fourth 阶段 的 这 时钟
connects 这 负的 终端 的 c
2
至 地面,
和 transfers 这 发生 l0v 横过 c
2
至 c
4
,
这 v
DD
存储 电容. 又一次, 同时发生地
和 这个, 这 积极的 一侧 的 电容 c
1
是
切换 至 +5v 和 这 负的 一侧 是 con-
nected 至 地面, 和 这 循环 begins 又一次.
自从 两个都 v
+
和 v
–
是 separately 发生
从 v
CC
; 在 一个 no–load 情况 v
+
和 v
–
将
是 对称的. older 承担 打气 approaches
那 发生 v
–
从 v
+
将 显示 一个 decrease 在
这 巨大 的 v
–
对照的 至 v
+
预定的 至 这
固有的 inefficiencies 在 这 设计.
这 时钟 比率 为 这 承担 打气 典型地
运作 在 15khz. 这 外部 电容 能
是 作 低 作 0.1
µ
f 和 一个 16v 损坏
电压 比率.
传输者/驱动器
这 驱动器 是 反相的 传输者 这个 有
被 改进 为 速 在 这
sp200 序列
.
这 传输者 接受 也 ttl 或者 cmos
输入 和 输出 这 rs-232 信号 在 数据 比率
在 400kbps. 典型地, 这 rs-232 输出 volt
V
CC
= +5v
–5V –5V
+5V
V
SS
存储 电容
V
DD
存储 电容
C
1
C
2
C
3
C
4
+
+
++
–
–
––
图示 1. 承担 打气 — 阶段 1
V
CC
= +5v
–10V
V
SS
存储 电容
V
DD
存储 电容
C
1
C
2
C
3
C
4
+
+
++
–
–
––