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日期: 5/25/04 sp6123 低 电压, 同步的 步伐 向下 pwm 控制 © 版权 2004 sipex 公司
管脚 描述
管脚 n0. 管脚 名字 描述
1GL高 电流 驱动器 输出 为 这 低 一侧 场效应晶体管 转变. 它 是 总是 低 如果 gh 是 高.
gl swings 从 地 至 v
CC
.
2V
CC
积极的 输入 供应 为 这 控制 电路系统 和 这 低 一侧 门 驱动器. 合适的 绕过
这个 管脚 至 地 和 一个 低 esl/等效串联电阻 陶瓷的 电容.
3 地 地面 管脚. 两个都 电源 和 控制 电路系统 的 这 ic 是 关联 至 这个 管脚.
4 竞赛 输出 的 这 错误 放大器. 它 是 内部 连接 至 这 非-反相的 输入 的 这
pwm 比较器. 一个 含铅的-lag 网络 是 典型地 连接 至 这 竞赛 pinto compen-
sate 这 反馈 循环 在 顺序 至 优化 这 动态 效能 的 这 电压 模式
控制 循环. 睡眠 模式 能 是 invoked 用 拉 这 竞赛 管脚 在下 0.3v 和 一个
外部 打开-流 或者 打开-集电级 晶体管. 供应 电流 是 减少 至 30
µ
一个 (典型)
在 关闭. 一个 内部的 5
µ
一个 拉-向上 确保 开始-向上.
5V
FB
反馈 电压 管脚. 它 是 这 反相的 输入 的 这 错误 放大器 和 serves 作 这
输出 电压 反馈 要点 为 这 buck 转换器. 这 输出 电压 是 sensed 和
能 是 调整 通过 一个 外部 电阻 分隔物.
6 SWN 更小的 供应 栏杆 为 这 gh 高-一侧 门 驱动器. 它 也 connects 至 这 电流 限制
比较器. 连接 这个 管脚 至 这 切换 node 在 这 接合面 在 这 二
外部 电源 场效应晶体管 晶体管. 这个 管脚 monitors 这 电压 漏出 横过 这 r
ds(在)
的 这 高 一侧 n-频道 场效应晶体管 当 它 是 组织. 当 这个 漏出 超过 这
内部的 200mv 门槛, 这 overcurrent 比较器 sets 这 故障 获得 和 terminates
这 输出 脉冲. 这 控制 stops 切换 和 变得 通过 一个 hiccup sequence. 这个
阻止 过度的 电源 消耗 在 这 外部 电源 mosfets 在 一个 超载
情况. 一个 内部的 延迟 电路 阻止 那 非常 短的 和 mild 超载 情况,
那 可以 出现 在 一个 加载 瞬时, 从 activating 这 电流 限制 电路.
7GH高 电流 驱动器 输出 为 这 高 一侧 场效应晶体管 转变. 它 是 总是 低 如果 gl 是 高 或者
在 一个 故障. gh swings 从 swn 至 bst.
8 BST 高 一侧 驱动器 供应 管脚. 连接 bst 至 这 外部 boost 二极管 和 电容 作
显示 在 这 应用 图式 的 页 #1. 电压 在 bst 和 swn 应当
不 超过 5.5v.
除非 否则 指定: 0
°
c < t
一个
< 70
°
c, 3.0v < v
CC
< 5.5v, c
竞赛
= 22nf, cgh = cgl = 3.3nf, v
FB
= 0.8v,
swn = 地=0v, 典型 值 为 设计 指导原则 仅有的.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
门 驱动器
gh 上升 时间 110 ns V
CC
> 4.5v
gh 下降 时间 110 ns V
CC
> 4.5v
gl 上升 时间 110 ns V
CC
> 4.5v
gl 下降 时间 110 ns V
CC
> 4.5v
gh 至 gl 非-overlap 时间 100 ns V
CC
> 4.5v
gl 至 gh 非-overlap 时间 100 ns V
CC
> 4.5v
电的 特性
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