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日期: 5/25/04 sp6120 低 电压, anyfet
TM
, 同步的, buck 控制 © 版权 2004 sipex 公司
SP6120
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优化 为 单独的 供应, 3v - 5.5v 产品
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高 效率: 更好 比 95% 可能
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"anyfet
tm"
技术: 有能力 的 切换 也
pfet 或者 nfet 高 一侧 转变
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可选择的 discontinuous 或者 持续的 传导
模式 为 使用 在 电池 或者 总线 产品
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快 瞬时 回馈
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16-管脚 tssop, 小 大小
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交流curate 1% 涉及 在 线条, 加载 和 温度
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精确 10% 频率
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精确, 栏杆 至 栏杆, 43mv, 在-电流 感觉到
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电阻 可编程序的 频率
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电阻 可编程序的 输出 电压
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电容 可编程序的 软 开始
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低 安静的 电流: 950
µ
一个, 10
µ
一个 在 关闭
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hiccup 在-电流 保护
低 电压,AnyFET
TM
,同步的,buck 控制
完美的 为 2a 至 10a, 高 效能, 直流-直流 电源 转换器
产品
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DSP
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微处理器 核心
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i/o &放大; 逻辑
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工业的 控制
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distributed 电源
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低 电压 电源
描述
这 sp6120 是 一个 fixed 频率, 电压 模式, 同步的 pwm 控制 设计 至 工作
从 一个 单独的 5v 或者 3.3v 输入 供应. sipex's 唯一的 "anyfet
tm"
技术 准许 这 sp6120
至 是 使用 为 resolving 一个 multitude 的 价格/效能 trade-offs. 它 是 separated 从 这 pwm
控制 market 用 正在 这 第一 控制 至 提供 精确, 速, flexibility, 保护 和
效率 在 一个 宽 范围 的 运行 情况.
®
SP6120
NC
使能
ISP
ISN
V
FB
竞赛
SS
R
OSC
BST
GH
SWN
地
PGND
GL
V
CC
PROG
®
®
nmos 高 一侧 驱动
prog = 地
使能
CP
100pF
CZ
4.7nf
RZ
15k
C
SS
0.33
µ
F
R
OSC
18.7k
CV
CC
2.2
µ
F
V
在
MBR0530
C
BST
1
µ
F
QT
3.3v
V
在
C
在
330
µ
f x 2
RS
22.1k
CS
39nF
L1
2.5
µ
H
1.9v
1a 至 8a
V
输出
RF
5.23k
C
输出
470
µ
f x 3
RI
10k
QB
DS
SP6120
NC
使能
ISP
ISN
V
FB
竞赛
SS
R
OSC
BST
GH
SWN
地
PGND
GL
V
CC
PROG
®
®
pmos 高 一侧 驱动
prog = v
CC
使能
CP
100pF
CZ
4.7nf
RZ
15k
C
SS
0.33
µ
F
R
OSC
18.7k
CV
CC
2.2
µ
F
V
在
QT1
3.3v
V
在
C
在
330
µ
f x 2
RS
22.1k
CS
39nF
L1
2.5
µ
H
1.9v
1a 至 8a
V
输出
RF
5.23k
C
输出
470
µ
f x 3
RI
10k
QB
DS
1
2
16
15
14
13
12
11
3
4
5
6
7
8
10
9
n/c
使能
ISP
ISN
V
FB
竞赛
SS
R
OSC
BST
GH
SWN
地
PGND
GL
V
CC
PROG
SP6120
16 管脚 tssop
qt, qb = 仙童 fds6690a
qt1 = 仙童 fds6375 (pmos 仅有的)
l1 = panasonic etqp6f2r5sfa
ds = 意法半导体 stps2l25u
C
在
= sanyo 6tpb330m
C
输出
= sanyo 4tpb470m
特性
典型 产品 电路
now 有 在 含铅的 自由 包装
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