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手机版
资料编号:619825
资料名称:
SPA12N50C3
文件大小: 365.73K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004-03-29rev. 2.1
页 7
spp12n50c3, spb12n50c3
spi12n50c3, spa12n50c3
9 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一个
20
I
D
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Ω
2
R
ds(在)
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
6.5v
8V
20V
10 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 7 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
Ω
2.1
SPP12N50C3
R
ds(在)
典型值
98%
11 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
V
GS
0
4
8
12
16
20
24
28
32
一个
40
I
D
25°C
150°C
12 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= 11.6 一个 搏动
0
10
20
30
40
50
nC
70
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP12N50C3
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
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