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资料编号:620296
 
资料名称:SPD01N60C3
 
文件大小: 279.9K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-01
页 3
SPU01N60C3
SPD01N60C3
rev. 2.0
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=0.5a
- 0.75 - S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
- 100 - pF
输出 电容
C
oss
- 40 -
反转 转移 电容
C
rss
- 2.5 -
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=350v,
V
GS
=0/10v,
I
D
=0.8a,
R
G
=100
- 30 - ns
上升 时间
t
r
- 25 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 55 82
下降 时间
t
f
- 30 45
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=350v,
I
D
=0.8a
- 0.9 - nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 2.2 -
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=350v,
I
D
=0.8a,
V
GS
=0 至 10v
- 3.9 5
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=350v,
I
D
=0.8a
- 5.5 - V
1
repetitve avalanche 导致 额外的 电源 losses 那 能 是 计算 作
P
AV
=
E
AR
*
f
.
2
设备 在 40mm*40mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm² (一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
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