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资料编号:620333
 
资料名称:SPD07N20
 
文件大小: 120.09K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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spd 07n20
数据 薄板 7 05.99
流-源 在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 4.5 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100 140
˚C
200
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
SPD07N20
R
ds(在)
典型值
98%
门 门槛 电压
V
gs(th)
=
f
(
T
j
)
参数 :
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 毫安
-60 -20 20 60 100
˚C
160
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
4.4
V
5.0
V
gs(th)
最小值
典型值
最大值
典型值 capacitances
c =
f
(v
DS
)
参数:
V
GS
= 0 v,
f
= 1 mhz
0 5 10 15 20 25 30
V
40
V
DS
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
向前 特性 的 反转 二极管
I
F
=
f
(
V
SD
)
参数:
T
j
,
t
p
= 80 µs
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
V
3.0
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
SPD07N20
I
F
T
j
= 25 ˚c 典型值
T
j
= 25 ˚c (98%)
T
j
= 150 ˚c 典型值
T
j
= 150 ˚c (98%)
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