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半导体组 8 29/jan/1998 SPD21N05L SPU21N05L avalanche 活力 E 作 = f ( T j ) 参数: I D =20a, V DD =25 v R GS =25 Ω , l = 450µh 20 40 60 80 100 120 140 °C 180 T j 0 10 20 30 40 50 60 70 80 mJ 100 E 作典型值门承担 V GS = ƒ ( Q 门 ) 参数: I d puls =20 一个 0 4 8 12 16 20 24 28 nC 34 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS ds 最大值 V 0,8 ds 最大值 V 0,2 流-源损坏电压 V (br)dss = ƒ ( T j ) -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 49 51 53 55 57 59 61 V 65 V (br)dss

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